WSD25280DN56G N-channel 25V 280A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

WSD25280DN56G N-channel 25V 280A DFN5X6-8 រូបភាពពិសេស WINSOK MOSFET

ការពិពណ៌នាសង្ខេប៖

លេខផ្នែក :WSD25280DN56G

BVDSS៖25V

លេខសម្គាល់៖280A

RDSON៖0.7mΩ

ឆានែល៖N-channel

កញ្ចប់៖DFN5X6-8

ផ្ញើអ៊ីមែលមកយើង PDF

ព័ត៌មានលម្អិតអំពីផលិតផល

ការដាក់ពាក្យ

ស្លាកផលិតផល

ទិដ្ឋភាពទូទៅនៃផលិតផល WINSOK MOSFET

វ៉ុលនៃ WSD25280DN56G MOSFET គឺ 25V ចរន្តគឺ 280A ភាពធន់គឺ 0.7mΩ ឆានែលគឺ N-channel ហើយកញ្ចប់គឺ DFN5X6-8 ។

តំបន់កម្មវិធី WINSOK MOSFET

សមកាលកម្មចំណុចនៃការផ្ទុកប្រេកង់ខ្ពស់។,កម្មវិធីបម្លែង Buck,បណ្តាញប្រព័ន្ធថាមពល DC-DC,កម្មវិធីឧបករណ៍ថាមពល,E-cigarettes MOSFET, wireless charging MOSFET, drones MOSFET, medical care MOSFET, car chargers MOSFET, controllers MOSFET, digital products MOSFET, small family appliances MOSFET, use electronics MOSFET.

WINSOK MOSFET ត្រូវនឹងលេខសម្ភារៈម៉ាកផ្សេងទៀត។

Nxperian MOSFET PSMN1R-4ULD ។

POTENS Semiconductor MOSFET PDC262X ។

ប៉ារ៉ាម៉ែត្រ MOSFET

និមិត្តសញ្ញា	ប៉ារ៉ាម៉ែត្រ	ការវាយតម្លៃ	ឯកតា
វីឌីអេស	តង់ស្យុងប្រភព	25	V
វីជីអេស	ហ្គេត-ស៊ូrce វ៉ុល	±20	V
I_D@T_C=25℃	ចរន្តបង្ហូរបន្ត(Silicon Limited)^១,៧	២៨០	A
I_D@T_C=70℃	ចរន្តបង្ហូរបន្ត (ស៊ីលីកុនលីមីតធីត)^១,៧	១៩០	A
IDM	Pulsed Drain Current²	៦០០	A
EAS	ថាមពល Avalanche Pulse តែមួយ³	១២០០	mJ
អាយ.អេស	Avalanche Current	១០០	A
P_D@T_C=25℃	ការសាយភាយថាមពលសរុប⁴	83	W
TSTG	ជួរសីតុណ្ហភាពផ្ទុក	ពី 55 ទៅ 150	℃
T_J	ជួរសីតុណ្ហភាពប្រសព្វប្រតិបត្តិការ	ពី 55 ទៅ 150	℃

និមិត្តសញ្ញា	ប៉ារ៉ាម៉ែត្រ	លក្ខខណ្ឌ	នាទី	វាយ	អតិបរមា។	ឯកតា
BV_{អេស.អេស}	វ៉ុលបំបែកប្រភពបង្ហូរ	V_GS=0V, I_D= 250uA	25	---	---	V
△BVDSS/△TJ	BV_{អេស.អេស}មេគុណសីតុណ្ហភាព	យោងទៅ ២៥℃, ខ្ញុំ_D=1mA	---	0.022	---	V/℃
RDS(ON)	ការទប់ទល់នឹងប្រភពទឹកឋិតិវន្ត²	V_GS=10V, I_D=20A	---	០.៧	0.9	mΩ
RDS(ON)	ការទប់ទល់នឹងប្រភពទឹកឋិតិវន្ត²	V_GS= 4.5V, I_D=20A	---	១.៤	១.៩	mΩ
VGS(ទី)	វ៉ុលច្រកទ្វារ	V_GS=V_DS, ខ្ញុំ_D= 250uA	1.0	---	២.៥	V
△V_GS(ទី)	V_GS(ទី)មេគុណសីតុណ្ហភាព	V_GS=V_DS, ខ្ញុំ_D= 250uA	---	-៦.១	---	mV/℃
លេខសម្គាល់	ចរន្តលេចធ្លាយប្រភពបង្ហូរ	V_DS= 20V, V_GS=0V , ធ_J=25℃	---	---	1	uA
លេខសម្គាល់	ចរន្តលេចធ្លាយប្រភពបង្ហូរ	V_DS= 20V, V_GS=0V , ធ_J=55℃	---	---	5	uA
IGSS	ច្រកទ្វារ - ប្រភពលេចធ្លាយបច្ចុប្បន្ន	V_GS=±20V, V_DS=0V	---	---	±១០០	nA
gfs	ការបញ្ជូនបន្ត	V_DS= 5V, I_D=10A	---	40	---	S
R_g	ភាពធន់នឹងច្រកទ្វារ	V_DS=0V, V_GS=0V, f=1MHz	---	៣.៨	១.៥	Ω
Q_g	បន្ទុកច្រកទ្វារសរុប (4.5V)	V_DS= 15V, V_GS= 4.5V, I_D=20A	---	72	---	nC
Q_gs	ថ្លៃដើមច្រកទ្វារ		---	18	---
Q_gd	ការគិតថ្លៃច្រកទ្វារ		---	24	---
Td(បើក)	បើកម៉ោងពន្យាពេល	V_DD= 15V, V_{ឧត្តមសេនីយ៍}= 10V, R_G=1Ω, ខ្ញុំ_D=10A	---	33	---	ns
T_r	ពេលវេលាកើនឡើង		---	55	---
Td(បិទ)	បិទម៉ោងពន្យាពេល		---	62	---
T_f	រដូវស្លឹកឈើជ្រុះ		---	22	---
C_iss	សមត្ថភាពបញ្ចូល	V_DS= 15V, V_GS=0V, f=1MHz	---	៧៧៥២	---	pF
ខូស	ទិន្នផលសមត្ថភាព		---	១១២០	---
C_rss	សមត្ថភាពផ្ទេរបញ្ច្រាស		---	៦៥០	---