WSD30160DN56 N-channel 30V 120A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

WSD30160DN56 N-channel 30V 120A DFN5X6-8 រូបភាពពិសេស WINSOK MOSFET

ការពិពណ៌នាសង្ខេប៖

លេខផ្នែក :WSD30160DN56

BVDSS៖30V

លេខសម្គាល់៖120A

RDSON៖1.9mΩ

ឆានែល៖N-channel

កញ្ចប់៖DFN5X6-8

ផ្ញើអ៊ីមែលមកយើង PDF

ព័ត៌មានលម្អិតអំពីផលិតផល

ការដាក់ពាក្យ

ស្លាកផលិតផល

ទិដ្ឋភាពទូទៅនៃផលិតផល WINSOK MOSFET

វ៉ុលនៃ WSD30160DN56 MOSFET គឺ 30V ចរន្តគឺ 120A ភាពធន់គឺ 1.9mΩ ឆានែលគឺ N-channel ហើយកញ្ចប់គឺ DFN5X6-8 ។

តំបន់កម្មវិធី WINSOK MOSFET

បារីអេឡិចត្រូនិច MOSFET, ការសាកឥតខ្សែ MOSFET, យន្តហោះគ្មានមនុស្សបើក MOSFET, ការថែទាំវេជ្ជសាស្រ្ត MOSFET, ឆ្នាំងសាករថយន្ត MOSFET, ឧបករណ៍បញ្ជា MOSFET, ផលិតផលឌីជីថល MOSFET, គ្រឿងប្រើប្រាស់ក្នុងផ្ទះតូចៗ MOSFET, គ្រឿងអេឡិចត្រូនិក MOSFET ។

WINSOK MOSFET ត្រូវនឹងលេខសម្ភារៈម៉ាកផ្សេងទៀត។

AOS MOSFET AON6382,AON6384,AON644A,AON6548។

Onsemi,FAIRCHILD MOSFET NTMFS4834N,NTMFS4C5N។

TOSHIBA MOSFET TPH2R93PL ។

PANJIT MOSFET PJQ5426 ។

NIKO-SEM MOSFET PKE1BB ។

POTENS Semiconductor MOSFET PDC392X ។

ប៉ារ៉ាម៉ែត្រ MOSFET

និមិត្តសញ្ញា	ប៉ារ៉ាម៉ែត្រ	ការវាយតម្លៃ	ឯកតា
វីឌីអេស	តង់ស្យុងប្រភព	30	V
វីជីអេស	ហ្គេត-ស៊ូrce វ៉ុល	±20	V
I_D@T_C=25℃	ចរន្តបង្ហូរបន្ត, V_GS@10V^១,៧	១២០	A
I_D@T_C=១០០℃	ចរន្តបង្ហូរបន្ត, V_GS@10V^១,៧	68	A
IDM	Pulsed Drain Current²	៣០០	A
EAS	ថាមពល Avalanche Pulse តែមួយ³	១២៨	mJ
អាយ.អេស	Avalanche Current	50	A
P_D@T_C=25℃	ការសាយភាយថាមពលសរុប⁴	៦២.៥	W
TSTG	ជួរសីតុណ្ហភាពផ្ទុក	ពី 55 ទៅ 150	℃
T_J	ជួរសីតុណ្ហភាពប្រសព្វប្រតិបត្តិការ	ពី 55 ទៅ 150	℃

និមិត្តសញ្ញា	ប៉ារ៉ាម៉ែត្រ	លក្ខខណ្ឌ	នាទី	វាយ	អតិបរមា។	ឯកតា
BV_{អេស.អេស}	វ៉ុលបំបែកប្រភពបង្ហូរ	V_GS=0V, I_D= 250uA	30	---	---	V
△BVDSS/△TJ	BV_{អេស.អេស}មេគុណសីតុណ្ហភាព	យោងទៅ ២៥℃, ខ្ញុំ_D=1mA	---	0.02	---	V/℃
RDS(ON)	ការទប់ទល់នឹងប្រភពទឹកឋិតិវន្ត²	V_GS=10V, I_D=20A	---	១.៩	២.៥	mΩ
RDS(ON)	ការទប់ទល់នឹងប្រភពទឹកឋិតិវន្ត²	V_GS= 4.5V, I_D=15A	---	២.៩	៣.៥	mΩ
VGS(ទី)	វ៉ុលច្រកទ្វារ	V_GS=V_DS, ខ្ញុំ_D= 250uA	១.២	១.៧	២.៥	V
△V_GS(ទី)	V_GS(ទី)មេគុណសីតុណ្ហភាព	V_GS=V_DS, ខ្ញុំ_D= 250uA	---	-៦.១	---	mV/℃
លេខសម្គាល់	ចរន្តលេចធ្លាយប្រភពបង្ហូរ	V_DS= 24V, V_GS=0V , ធ_J=25℃	---	---	1	uA
លេខសម្គាល់	ចរន្តលេចធ្លាយប្រភពបង្ហូរ	V_DS= 24V, V_GS=0V , ធ_J=55℃	---	---	5	uA
IGSS	ច្រកទ្វារ - ប្រភពលេចធ្លាយបច្ចុប្បន្ន	V_GS=±20V, V_DS=0V	---	---	±១០០	nA
gfs	ការបញ្ជូនបន្ត	V_DS= 5V, I_D=10A	---	32	---	S
R_g	ភាពធន់នឹងច្រកទ្វារ	V_DS=0V, V_GS=0V, f=1MHz	---	០.៨	១.៥	Ω
Q_g	បន្ទុកច្រកទ្វារសរុប (4.5V)	V_DS= 15V, V_GS= 4.5V, I_D=20A	---	38	---	nC
Q_gs	ថ្លៃដើមច្រកទ្វារ		---	10	---
Q_gd	ការគិតថ្លៃច្រកទ្វារ		---	13	---
Td(បើក)	បើកម៉ោងពន្យាពេល	V_DD= 15V, V_{ឧត្តមសេនីយ៍}=10V, R_G=6Ω, ខ្ញុំ_D=1A, RL=15Ω។	---	25	---	ns
T_r	ពេលវេលាកើនឡើង		---	23	---
Td(បិទ)	បិទម៉ោងពន្យាពេល		---	95	---
T_f	រដូវស្លឹកឈើជ្រុះ		---	40	---
C_iss	សមត្ថភាពបញ្ចូល	V_DS= 15V, V_GS=0V, f=1MHz	---	៤៩០០	---	pF
ខូស	ទិន្នផលសមត្ថភាព		---	១១៨០	---
C_rss	សមត្ថភាពផ្ទេរបញ្ច្រាស		---	៥៣០	---