WSD3023DN56 N-Ch និង P-Channel 30V/-30V 14A/-12A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

WSD3023DN56 N-Ch និង P-Channel 30V/-30V 14A/-12A DFN5*6-8 រូបភាពពិសេស WINSOK MOSFET

ការពិពណ៌នាសង្ខេប៖

លេខម៉ូដែល៖WSD3023DN56

BVDSS៖30V/-30V

RDSON៖14mΩ/23mΩ

លេខសម្គាល់៖14A/-12A

ឆានែល៖N-Ch និង P-Channel

កញ្ចប់៖DFN5*6-8

ផលិតផល Summery៖វ៉ុល WSD3023DN56 MOSFET គឺ 30V/-30V ចរន្តគឺ14A/-12A ភាពធន់គឺ 14mΩ/23mΩ ឆានែលគឺ N-Ch និង P-Channel ហើយកញ្ចប់គឺ DFN5*6-8 ។

កម្មវិធី៖យន្តហោះគ្មានមនុស្សបើក ម៉ូតូ គ្រឿងអេឡិចត្រូនិច រថយន្ត គ្រឿងប្រើប្រាស់សំខាន់ៗ។

ផ្ញើអ៊ីមែលមកយើង PDF

ព័ត៌មានលម្អិតអំពីផលិតផល

ការដាក់ពាក្យ

ស្លាកផលិតផល

ការពិពណ៌នាទូទៅ

WSD3023DN56 គឺជាលេណដ្ឋានដែលដំណើរការខ្ពស់បំផុត N-ch និង P-ch MOSFETs ជាមួយនឹងដង់ស៊ីតេកោសិកាខ្ពស់ខ្លាំង ដែលផ្តល់នូវ RDSON និងការគិតថ្លៃច្រកទ្វារដ៏ល្អសម្រាប់កម្មវិធីបំលែងលុយកាក់ភាគច្រើន។ WSD3023DN56 បំពេញតាមតម្រូវការ RoHS និងផលិតផលបៃតង 100% EAS ធានាជាមួយនឹងភាពជឿជាក់នៃមុខងារពេញលេញដែលត្រូវបានអនុម័ត។

លក្ខណៈពិសេស

បច្ចេកវិទ្យា Trench ដង់ស៊ីតេកោសិកាខ្ពស់កម្រិតខ្ពស់ ការគិតថ្លៃច្រកទ្វារទាប ប្រសិទ្ធភាព CdV/dt ធ្លាក់ចុះ 100% EAS ធានា ឧបករណ៍ពណ៌បៃតងអាចប្រើបាន។

កម្មវិធី

ឧបករណ៍បំលែង Buck សមកាលកម្មប្រេកង់ខ្ពស់សម្រាប់ MB/NB/UMPC/VGA ប្រព័ន្ធថាមពល DC-DC បណ្តាញ CCFL Back-light Inverter យន្តហោះគ្មានមនុស្សបើក ម៉ូទ័រ គ្រឿងអេឡិចត្រូនិច រថយន្ត គ្រឿងប្រើប្រាស់សំខាន់ៗ។

លេខសម្ភារៈដែលត្រូវគ្នា។

PANJIT PJQ5606

ប៉ារ៉ាម៉ែត្រសំខាន់

និមិត្តសញ្ញា	ប៉ារ៉ាម៉ែត្រ	ការវាយតម្លៃ		ឯកតា
និមិត្តសញ្ញា	ប៉ារ៉ាម៉ែត្រ	N-Ch	ភី-ឆ	ឯកតា
វីឌីអេស	តង់ស្យុងប្រភព	30	-៣០	V
វីជីអេស	ច្រកទ្វារ - ប្រភពវ៉ុល	±20	±20	V
ID	ចរន្តបង្ហូរបន្ត, VGS(NP)=10V,Ta=25℃	14*	-១២	A
ID	ចរន្តបង្ហូរបន្ត VGS(NP)=10V,Ta=70℃	៧.៦	-៩.៧	A
IDP ក	Pulse Drain Current Tested, VGS(NP)=10V	48	-៤៨	A
EAS គ	ថាមពល Avalanche, ជីពចរតែមួយ, L = 0.5mH	20	20	mJ
IAS គ	ចរន្ត Avalanche, ជីពចរតែមួយ, L = 0.5mH	9	-9	A
PD	ការសាយភាយថាមពលសរុប Ta = 25 ℃	៥.២៥	៥.២៥	W
TSTG	ជួរសីតុណ្ហភាពផ្ទុក	-៥៥ ដល់ ១៧៥	-៥៥ ដល់ ១៧៥	℃
TJ	ជួរសីតុណ្ហភាពប្រសព្វប្រតិបត្តិការ	១៧៥	១៧៥	℃
RqJA ខ	ធន់នឹងកំដៅ-ប្រសព្វទៅបរិយាកាស, ស្ថានភាពស្ថិរភាព	60	60	℃/W
RqJC	ធន់នឹងកំដៅ-ប្រសព្វទៅនឹងករណី, ស្ថានភាពស្ថិរភាព	៦.២៥	៦.២៥	℃/W

និមិត្តសញ្ញា	ប៉ារ៉ាម៉ែត្រ	លក្ខខណ្ឌ	នាទី	វាយ	អតិបរមា។	ឯកតា
BVDSS	វ៉ុលបំបែកប្រភពបង្ហូរ	VGS=0V, ID=250uA	30	---	---	V
RDS(ON) ឃ	ការទប់ទល់នឹងប្រភពទឹកឋិតិវន្ត	VGS=10V, ID=8A	---	14	១៨.៥	mΩ
RDS(ON) ឃ	ការទប់ទល់នឹងប្រភពទឹកឋិតិវន្ត	VGS=4.5V, ID=5A	---	17	25	mΩ
VGS(ទី)	វ៉ុលច្រកទ្វារ	VGS=VDS, លេខសម្គាល់ =250uA	១.៣	១.៨	២.៣	V
លេខសម្គាល់	ចរន្តលេចធ្លាយប្រភពបង្ហូរ	VDS=20V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	1	uA
លេខសម្គាល់	ចរន្តលេចធ្លាយប្រភពបង្ហូរ	VDS=20V, VGS=0V, TJ=85℃	---	---	30	uA
IGSS	ច្រកទ្វារ - ប្រភពលេចធ្លាយបច្ចុប្បន្ន	VGS=±20V, VDS=0V	---	---	±100	nA
Rg	ភាពធន់នឹងច្រកទ្វារ	VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz	---	១.៧	៣.៤	Ω
Qge	ថ្លៃច្រកទ្វារសរុប	VDS=15V, VGS=4.5V, IDS=8A	---	៥.២	---	nC
Qgse	ថ្លៃដើមច្រកទ្វារ		---	1.0	---
Qgde	ការគិតថ្លៃច្រកទ្វារ		---	២.៨	---
Td(on)e	បើកម៉ោងពន្យាពេល	VDD=15V,RL=15R, IDS=1A,VGEN=10V, RG=6R។	---	6	---	ns
ត្រេ	ពេលវេលាកើនឡើង		---	៨.៦	---
Td (បិទ) អ៊ី	បិទម៉ោងពន្យាពេល		---	16	---
Tfe	រដូវស្លឹកឈើជ្រុះ		---	៣.៦	---
ស៊ីស	សមត្ថភាពបញ្ចូល	VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz	---	៥៤៥	---	pF
កូសស	ទិន្នផលសមត្ថភាព		---	95	---
គ្រីស	សមត្ថភាពផ្ទេរបញ្ច្រាស		---	55	---