WSD30300DN56G N-channel 30V 300A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

WSD30300DN56G N-channel 30V 300A DFN5X6-8 រូបភាពពិសេស WINSOK MOSFET

ការពិពណ៌នាសង្ខេប៖

លេខផ្នែក :WSD30300DN56G

BVDSS៖30V

លេខសម្គាល់៖៣០០ អា

RDSON៖0.7mΩ

ឆានែល៖N-channel

កញ្ចប់៖DFN5X6-8

ផ្ញើអ៊ីមែលមកយើង PDF

ព័ត៌មានលម្អិតអំពីផលិតផល

ការដាក់ពាក្យ

ស្លាកផលិតផល

ទិដ្ឋភាពទូទៅនៃផលិតផល WINSOK MOSFET

វ៉ុលនៃ WSD20100DN56 MOSFET គឺ 20V ចរន្តគឺ 90A ភាពធន់គឺ 1.6mΩ ឆានែលគឺ N-channel ហើយកញ្ចប់គឺ DFN5X6-8 ។

តំបន់កម្មវិធី WINSOK MOSFET

បារីអេឡិចត្រូនិច MOSFET, យន្តហោះគ្មានមនុស្សបើក MOSFET, ឧបករណ៍អគ្គិសនី MOSFET, កាំភ្លើង fascia MOSFET, PD MOSFET, ប្រដាប់ប្រើប្រាស់ក្នុងផ្ទះតូចៗ MOSFET ។

WINSOK MOSFET ត្រូវនឹងលេខសម្ភារៈម៉ាកផ្សេងទៀត។

AOS MOSFET AON6572 ។

POTENS Semiconductor MOSFET PDC394X ។

ប៉ារ៉ាម៉ែត្រ MOSFET

និមិត្តសញ្ញា	ប៉ារ៉ាម៉ែត្រ	ការវាយតម្លៃ	ឯកតា
វីឌីអេស	តង់ស្យុងប្រភព	20	V
វីជីអេស	ច្រកទ្វារ - ប្រភពវ៉ុល	±12	V
ID@T_C= 25 ℃	ចរន្តបង្ហូរបន្ត₁	90	A
ID@T_C= 100 ℃	ចរន្តបង្ហូរបន្ត₁	48	A
IDM	Pulsed Drain Current₂	២៧០	A
EAS	ថាមពល Avalanche Pulse តែមួយ₃	80	mJ
អាយ.អេស	Avalanche Current	40	A
PD@T_C= 25 ℃	ការសាយភាយថាមពលសរុប₄	83	W
TSTG	ជួរសីតុណ្ហភាពផ្ទុក	ពី 55 ទៅ 150	℃
TJ	ជួរសីតុណ្ហភាពប្រសព្វប្រតិបត្តិការ	ពី 55 ទៅ 150	℃
RθJA	ប្រសព្វធន់ទ្រាំនឹងកំដៅ - បរិយាកាស₁(t≦10S)	20	℃/W
RθJA	ប្រសព្វធន់ទ្រាំនឹងកំដៅ - បរិយាកាស₁(ស្ថិរភាពរបស់រដ្ឋ)	55	℃/W
RθJC	Junction-case ធន់នឹងកំដៅ₁	១.៥	℃/W

និមិត្តសញ្ញា	ប៉ារ៉ាម៉ែត្រ	លក្ខខណ្ឌ	នាទី	វាយ	អតិបរមា	ឯកតា
BVDSS	វ៉ុលបំបែកប្រភពបង្ហូរ	VGS=0V, ID=250uA	20	23	---	V
VGS(ទី)	វ៉ុលច្រកទ្វារ	VGS=VDS, លេខសម្គាល់ =250uA	០.៥	០.៦៨	1.0	V
RDS(ON)	ការទប់ទល់នឹងប្រភពទឹកឋិតិវន្ត₂	VGS=10V, ID=20A	---	១.៦	2.0	mΩ
RDS(ON)	ការទប់ទល់នឹងប្រភពទឹកឋិតិវន្ត₂	VGS=4.5V, ID=20A		១.៩	២.៥	mΩ
RDS(ON)	ការទប់ទល់នឹងប្រភពទឹកឋិតិវន្ត₂	VGS=2.5V, ID=20A	---	២.៨	៣.៨	mΩ
លេខសម្គាល់	ចរន្តលេចធ្លាយប្រភពបង្ហូរ	VDS=16V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	1	uA
លេខសម្គាល់	ចរន្តលេចធ្លាយប្រភពបង្ហូរ	VDS=16V, VGS=0V, TJ=125℃	---	---	5	uA
IGSS	ច្រកទ្វារ-ប្រភពលេចធ្លាយបច្ចុប្បន្ន	VGS=±10V, VDS=0V	---	---	±10	uA
Rg	ភាពធន់នឹងច្រកទ្វារ	VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz	---	១.២	---	Ω
Qg	បន្ទុកច្រកទ្វារសរុប (10V)	VDS=15V, VGS=10V, ID=20A	---	77	---	nC
Qgs	ថ្លៃដើមច្រកទ្វារ		---	៨.៧	---
Qgd	ថ្លៃច្រកទ្វារ - បង្ហូរ		---	14	---
Td(បើក)	បើកម៉ោងពន្យាពេល	VDD=15V, VGS=10V, RG=3, លេខសម្គាល់=20A	---	១០.២	---	ns
Tr	ពេលវេលាកើនឡើង		---	១១.៧	---
Td(បិទ)	ពេលវេលាពន្យាពេលបិទ		---	៥៦.៤	---
Tf	រដូវស្លឹកឈើជ្រុះ		---	១៦.២	---
ស៊ីស	សមត្ថភាពបញ្ចូល	VDS=10V, VGS=0V, f=1MHz	---	៤៣០៧	---	pF
ខូស	សមត្ថភាពទិន្នផល		---	៥០១	---
Crss	សមត្ថភាពផ្ទេរបញ្ច្រាស		---	៣២១	---
IS	ប្រភពបន្តបច្ចុប្បន្ន_១,៥	V_G=V_D=0V, បង្ខំបច្ចុប្បន្ន	---	---	50	A
VSD	វ៉ុលបញ្ជូនបន្ត Diode₂	VGS=0V, IS=1A, TJ=25℃	---	---	១.២	V
tr	ពេលវេលាងើបឡើងវិញបញ្ច្រាស	IF=20A, di/dt=100A/µs, T_J=25℃	---	22	---	nS
Qrr	ការគិតថ្លៃឡើងវិញបញ្ច្រាស	IF=20A, di/dt=100A/µs, T_J=25℃	---	72	---	nC