WSD6070DN56 N-channel 60V 80A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

WSD6070DN56 N-channel 60V 80A DFN5X6-8 រូបភាពពិសេស WINSOK MOSFET

ការពិពណ៌នាសង្ខេប៖

លេខផ្នែក :WSD6070DN56

BVDSS៖60V

លេខសម្គាល់៖80A

RDSON៖7.3mΩ

ឆានែល៖N-channel

កញ្ចប់៖DFN5X6-8

ផ្ញើអ៊ីមែលមកយើង PDF

ព័ត៌មានលម្អិតអំពីផលិតផល

ការដាក់ពាក្យ

ស្លាកផលិតផល

ទិដ្ឋភាពទូទៅនៃផលិតផល WINSOK MOSFET

វ៉ុលនៃ WSD6070DN56 MOSFET គឺ 60V ចរន្តគឺ 80A ភាពធន់គឺ 7.3mΩ ឆានែលគឺ N-channel ហើយកញ្ចប់គឺ DFN5X6-8 ។

តំបន់កម្មវិធី WINSOK MOSFET

បារីអេឡិចត្រូនិច MOSFET, ការសាកឥតខ្សែ MOSFET, ម៉ូទ័រ MOSFET, យន្តហោះគ្មានមនុស្សបើក MOSFET, ការថែទាំវេជ្ជសាស្រ្ត MOSFET, ឆ្នាំងសាករថយន្ត MOSFET, ឧបករណ៍បញ្ជា MOSFET, ផលិតផលឌីជីថល MOSFET, ប្រដាប់ប្រើប្រាស់ក្នុងផ្ទះតូចៗ MOSFET, គ្រឿងអេឡិចត្រូនិក MOSFET ។

WINSOK MOSFET ត្រូវនឹងលេខសម្ភារៈម៉ាកផ្សេងទៀត។

POTENS Semiconductor MOSFET PDC696X ។

ប៉ារ៉ាម៉ែត្រ MOSFET

និមិត្តសញ្ញា	ប៉ារ៉ាម៉ែត្រ	ការវាយតម្លៃ	ឯកតា
វីឌីអេស	តង់ស្យុងប្រភព	60	V
វីជីអេស	ហ្គេត-ស៊ូrce វ៉ុល	±20	V
TJ	សីតុណ្ហភាពប្រសព្វអតិបរមា	១៥០	°C
ID	ជួរសីតុណ្ហភាពផ្ទុក	ពី 55 ទៅ 150	°C
IS	Diode ចរន្តបញ្ជូនបន្តបន្ត, T_C=25°C	80	A
ID	ចរន្តបង្ហូរបន្ត, V_GS=10V,T_C=25°C	80	A
ID	ចរន្តបង្ហូរបន្ត, V_GS=10V,T_C=100°C	66	A
IDM	Pulsed Drain Current, T_C=25°C	៣០០	A
P_D	ការសាយភាយថាមពលអតិបរមា, T_C=25°C	១៥០	W
P_D	ការសាយភាយថាមពលអតិបរមា, T_C=100°C	75	W
R_θJA	ធន់នឹងកំដៅ-ប្រសព្វទៅបរិយាកាស ,t =10s ̀	50	°C/W
R_θJA	ធន់នឹងកំដៅ-ប្រសព្វទៅបរិយាកាស ស្ថានភាពស្ថិរភាព	៦២.៥	°C/W
Rq_JC	ធន់នឹងកំដៅ-ប្រសព្វទៅនឹងករណី	1	°C/W
អាយ.អេស	ចរន្ត Avalanche, ជីពចរតែមួយ, L = 0.5mH	30	A
E_AS	ថាមពល Avalanche, ជីពចរតែមួយ, L = 0.5mH	២២៥	mJ

និមិត្តសញ្ញា	ប៉ារ៉ាម៉ែត្រ	លក្ខខណ្ឌ	នាទី	វាយ	អតិបរមា។	ឯកតា
BV_{អេស.អេស}	វ៉ុលបំបែកប្រភពបង្ហូរ	V_GS=0V, I_D= 250uA	60	---	---	V
△BVDSS/△TJ	BV_{អេស.អេស}មេគុណសីតុណ្ហភាព	យោងទៅ ២៥℃, ខ្ញុំ_D=1mA	---	០.០៤៣	---	V/℃
RDS(ON)	ការទប់ទល់នឹងប្រភពទឹកឋិតិវន្ត²	VGS=10V, I_D=40A	---	៧.០	៩.០	mΩ
VGS(ទី)	វ៉ុលច្រកទ្វារ	V_GS=V_DS, ខ្ញុំ_D= 250uA	2.0	៣.០	៤.០	V
△VGS(ទី)	V_GS(ទី)មេគុណសីតុណ្ហភាព	V_GS=V_DS, ខ្ញុំ_D= 250uA	---	-៦.៩៤	---	mV/℃
លេខសម្គាល់	ចរន្តលេចធ្លាយប្រភពបង្ហូរ	V_DS= 48V, V_GS=0V , ធ_J=25℃	---	---	2	uA
លេខសម្គាល់	ចរន្តលេចធ្លាយប្រភពបង្ហូរ	V_DS= 48V, V_GS=0V , ធ_J=55℃	---	---	10	uA
IGSS	ច្រកទ្វារ-ប្រភពលេចធ្លាយបច្ចុប្បន្ន	V_GS=±20V, V_DS=0V	---	---	±១០០	nA
gfs	ការបញ្ជូនបន្ត	V_DS= 5V, I_D=20A	---	50	---	S
R_g	ភាពធន់នឹងច្រកទ្វារ	V_DS=0V , V_GS=0V, f=1MHz	---	1.0	---	Ω
Q_g	បន្ទុកច្រកទ្វារសរុប (10V)	V_DS= 30V, V_GS=10V, I_D=40A	---	48	---	nC
Q_gs	ថ្លៃដើមច្រកទ្វារ		---	17	---
Q_gd	ថ្លៃច្រកទ្វារ - បង្ហូរ		---	12	---
Td(បើក)	បើកម៉ោងពន្យាពេល	V_DD= 30V, V_{ឧត្តមសេនីយ៍}=10V, R_G=1Ω, ខ្ញុំ_D=1A ,RL=15Ω។	---	16	---	ns
T_r	ពេលវេលាកើនឡើង		---	10	---
Td(បិទ)	ពេលវេលាពន្យាពេលបិទ		---	40	---
T_f	រដូវស្លឹកឈើជ្រុះ		---	35	---
C_iss	សមត្ថភាពបញ្ចូល	V_DS= 30V, V_GS=0V, f=1MHz	---	២៦៨០	---	pF
ខូស	សមត្ថភាពទិន្នផល		---	៣៨៦	---
C_rss	សមត្ថភាពផ្ទេរបញ្ច្រាស		---	១៦០	---