WSD60N10GDN56 N-channel 100V 60A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

WSD60N10GDN56 N-channel 100V 60A DFN5X6-8 រូបភាពពិសេស WINSOK MOSFET

ការពិពណ៌នាសង្ខេប៖

លេខផ្នែក :WSD60N10GDN56

BVDSS៖100V

លេខសម្គាល់៖60A

RDSON៖8.5mΩ

ឆានែល៖N-channel

កញ្ចប់៖DFN5X6-8

ផ្ញើការសាកសួរ PDF

ព័ត៌មានលម្អិតអំពីផលិតផល

ការដាក់ពាក្យ

ស្លាកផលិតផល

ទិដ្ឋភាពទូទៅនៃផលិតផល WINSOK MOSFET

វ៉ុលនៃ WSD60N10GDN56 MOSFET គឺ 100V ចរន្តគឺ 60A ភាពធន់គឺ 8.5mΩ ឆានែលគឺ N-channel ហើយកញ្ចប់គឺ DFN5X6-8 ។

តំបន់កម្មវិធី WINSOK MOSFET

បារីអេឡិចត្រូនិច MOSFET, ឧបករណ៍សាកឥតខ្សែ MOSFET, ម៉ូទ័រ MOSFET, យន្តហោះគ្មានមនុស្សបើក MOSFET, ការថែទាំវេជ្ជសាស្រ្ត MOSFET, ឆ្នាំងសាករថយន្ត MOSFET, ឧបករណ៍បញ្ជា MOSFET, ផលិតផលឌីជីថល MOSFET, គ្រឿងប្រើប្រាស់ក្នុងផ្ទះតូចៗ MOSFET, គ្រឿងអេឡិចត្រូនិក MOSFET ។

វាលកម្មវិធី MOSFET WINSOK MOSFET ត្រូវគ្នាទៅនឹងលេខសម្ភារៈម៉ាកផ្សេងទៀត។

AOS MOSFET AON6226,AON6294,AON6298,AONS6292,AONS6692,AONS66923.Onsemi,FAIRCHILD MOSFET NTMFS6B14N.VISHAY MOSFET SiR84DP,SiR87ADP.BANSFINEON,IR3SCG1. MOSFET TPH6R3ANL,TPH8R8ANH.PANJIT MOSFET PJQ5478A.NIKO-SEM MOSFET P81BKA.POTENS Semiconductor MOSFET PDC92X ។

ប៉ារ៉ាម៉ែត្រ MOSFET

និមិត្តសញ្ញា	ប៉ារ៉ាម៉ែត្រ	ការវាយតម្លៃ	ឯកតា
វីឌីអេស	តង់ស្យុងប្រភព	១០០	V
វីជីអេស	ច្រកទ្វារ - ប្រភពវ៉ុល	±20	V
I_D@T_C= 25 ℃	ចរន្តបង្ហូរបន្ត	60	A
IDP	Pulsed Drain Current	២១០	A
EAS	ថាមពល Avalanche, ជីពចរតែមួយ	១០០	mJ
P_D@T_C= 25 ℃	ការសាយភាយថាមពលសរុប	១២៥	វ
TSTG	ជួរសីតុណ្ហភាពផ្ទុក	ពី 55 ទៅ 150	℃
T_J	ជួរសីតុណ្ហភាពប្រសព្វប្រតិបត្តិការ	ពី 55 ទៅ 150	℃

និមិត្តសញ្ញា	ប៉ារ៉ាម៉ែត្រ	លក្ខខណ្ឌ	នាទី	វាយ	អតិបរមា។	ឯកតា
BV_{អេស.អេស}	វ៉ុលបំបែកប្រភពបង្ហូរ	V_GS=0V, I_D= 250uA	១០០	---	---	V
	ការទប់ទល់នឹងប្រភពទឹកឋិតិវន្ត	VGS=10V, ID=10A។	---	៨.៥	10. 0	mΩ
RDS(ON)	ការទប់ទល់នឹងប្រភពទឹកឋិតិវន្ត	VGS=4.5V, ID=10A។	---	៩.៥	១២.០	mΩ
VGS(ទី)	វ៉ុលច្រកទ្វារ	V_GS=V_DS, ខ្ញុំ_D= 250uA	1.0	---	២.៥	V
លេខសម្គាល់	ចរន្តលេចធ្លាយប្រភពបង្ហូរ	V_DS=80V, V_GS=0V , ធ_J= 25 ℃	---	---	1	uA
IGSS	ច្រកទ្វារ - ប្រភពលេចធ្លាយបច្ចុប្បន្ន	V_GS= ± 20V, V_DS=0V	---	---	±100	nA
Q_g	បន្ទុកច្រកទ្វារសរុប (10V)	V_DS= 50V, V_GS=10V, I_D=25A	---	៤៩.៩	---	nC
Q_gs	ថ្លៃដើមច្រកទ្វារ		---	៦.៥	---
Q_gd	ថ្លៃច្រកទ្វារ - បង្ហូរ		---	១២.៤	---
Td(បើក)	បើកម៉ោងពន្យាពេល	V_DD= 50V, V_GS= 10V ,R_G=2.2Ω, I_D=25A	---	២០.៦	---	ns
T_r	ពេលវេលាកើនឡើង		---	5	---
Td(បិទ)	ពេលវេលាពន្យាពេលបិទ		---	៥១.៨	---
T_f	រដូវស្លឹកឈើជ្រុះ		---	9	---
C_iss	សមត្ថភាពបញ្ចូល	V_DS= 50V, V_GS=0V, f=1MHz	---	២៦០៤	---	pF
ខូស	សមត្ថភាពទិន្នផល		---	៣៦២	---
C_rss	សមត្ថភាពផ្ទេរបញ្ច្រាស		---	៦.៥	---
I_S	ប្រភពបន្តបច្ចុប្បន្ន	V_G=V_D=0V, បង្ខំបច្ចុប្បន្ន	---	---	60	A
ក្រុមហ៊ុន ISP	ប្រភព Pulsed បច្ចុប្បន្ន	V_G=V_D=0V, បង្ខំបច្ចុប្បន្ន	---	---	២១០	A
VSD	វ៉ុលបញ្ជូនបន្ត Diode	V_GS=0V, I_S=12A , T_J= 25 ℃	---	---	១.៣	V
t_rr	ពេលវេលាងើបឡើងវិញបញ្ច្រាស	IF=12A,dI/dt=100A/µs,T_J= 25 ℃	---	៦០.៤	---	nS
Q_rr	ការគិតថ្លៃឡើងវិញបញ្ច្រាស	IF=12A,dI/dt=100A/µs,T_J= 25 ℃	---	១០៦.១	---	nC