WSM340N10G N-channel 100V 340A TOLL-8L WINSOK MOSFET

ការពិពណ៌នាសង្ខេប៖

លេខម៉ូដែល៖WSM340N10G

BVDSS៖100V

RDSON៖1.6mΩ

លេខសម្គាល់៖340A

ឆានែល៖N-channel

កញ្ចប់៖ទូរស័ព្ទ - ៨ អិល

ផលិតផល Summery:វ៉ុលនៃ WSM340N10G MOSFET គឺ 100V ចរន្តគឺ 340A ភាពធន់គឺ 1.6mΩ ឆានែលគឺ N-channel ហើយកញ្ចប់គឺ TOLL-8L ។

កម្មវិធី៖ឧបករណ៍វេជ្ជសាស្ត្រ យន្តហោះគ្មានមនុស្សបើក ការផ្គត់ផ្គង់ថាមពល PD ការផ្គត់ផ្គង់ថាមពល LED ឧបករណ៍ឧស្សាហកម្ម។ល។

ផ្ញើអ៊ីមែលមកយើង PDF

ព័ត៌មានលម្អិតអំពីផលិតផល

ការដាក់ពាក្យ

ស្លាកផលិតផល

ការពិពណ៌នាទូទៅ

WSM340N10G គឺជា trench N-Ch MOSFET ដែលដំណើរការខ្ពស់បំផុតជាមួយនឹងដង់ស៊ីតេកោសិកាខ្ពស់ខ្លាំង ដែលផ្តល់នូវ RDSON ដ៏ល្អឥតខ្ចោះ និងការគិតថ្លៃច្រកទ្វារសម្រាប់កម្មវិធីបំលែងប្រាក់កាក់ដែលធ្វើសមកាលកម្មភាគច្រើន។WSM340N10G បំពេញតាមតម្រូវការ RoHS និងផលិតផលបៃតង 100% EAS ធានាជាមួយនឹងភាពជឿជាក់នៃមុខងារពេញលេញដែលត្រូវបានអនុម័ត។

លក្ខណៈពិសេស

បច្ចេកវិទ្យា Trench ដង់ស៊ីតេកោសិកាកម្រិតខ្ពស់ , Super Low Gate Charge , ប្រសិទ្ធភាព CdV/dt ធ្លាក់ចុះ , 100% EAS ធានា , មានឧបករណ៍ពណ៌បៃតង។

កម្មវិធី

ការកែតម្រូវសមកាលកម្ម , DC/DC Converter , Load switch , ឧបករណ៍វេជ្ជសាស្ត្រ , យន្តហោះគ្មានមនុស្សបើក , ការផ្គត់ផ្គង់ថាមពល PD, ការផ្គត់ផ្គង់ថាមពល LED, ឧបករណ៍ឧស្សាហកម្ម។ល។

ប៉ារ៉ាម៉ែត្រសំខាន់

ការវាយតម្លៃអតិបរមាដាច់ខាត

និមិត្តសញ្ញា	ប៉ារ៉ាម៉ែត្រ	ការវាយតម្លៃ	ឯកតា
វីឌីអេស	តង់ស្យុងប្រភព	១០០	V
វីជីអេស	ច្រកទ្វារ - ប្រភពវ៉ុល	±20	V
លេខសម្គាល់ @ TC = 25 ℃	ចរន្តបង្ហូរបន្ត VGS @ 10V	៣៤០	A
ID@TC=100 ℃	ចរន្តបង្ហូរបន្ត VGS @ 10V	២៣០	A
IDM	Pulsed Drain Current..TC=25°C	១១៥០	A
EAS	ថាមពល Avalanche, ជីពចរតែមួយ, L = 0.5mH	1800	mJ
អាយ.អេស	ចរន្ត Avalanche, ជីពចរតែមួយ, L = 0.5mH	១២០	A
PD@TC = 25 ℃	ការសាយភាយថាមពលសរុប	៣៧៥	W
PD@TC = 100 ℃	ការសាយភាយថាមពលសរុប	១៨៧	W
TSTG	ជួរសីតុណ្ហភាពផ្ទុក	-៥៥ ដល់ ១៧៥	℃
TJ	ជួរសីតុណ្ហភាពប្រសព្វប្រតិបត្តិការ	១៧៥	℃

លក្ខណៈអគ្គិសនី (TJ = 25 ℃ លើកលែងតែមានការកត់សម្គាល់ផ្សេង)

និមិត្តសញ្ញា	ប៉ារ៉ាម៉ែត្រ	លក្ខខណ្ឌ	នាទី	វាយ	អតិបរមា។	ឯកតា
BVDSS	វ៉ុលបំបែកប្រភពបង្ហូរ	VGS=0V, ID=250uA	១០០	---	---	V
△ BVDSS/△TJ	មេគុណសីតុណ្ហភាព BVDSS	យោងទៅ 25 ℃, ID = 1mA	---	០.០៩៦	---	V/℃
RDS(ON)	ការទប់ទល់នឹងប្រភពទឹកឋិតិវន្ត	VGS=10V, ID=50A	---	១.៦	២.៣	mΩ
VGS(ទី)	វ៉ុលច្រកទ្វារ	VGS=VDS, លេខសម្គាល់ =250uA	2.0	៣.០	៤.០	V
△VGS(ទី)	VGS(th) មេគុណសីតុណ្ហភាព	VGS=VDS, លេខសម្គាល់ =250uA	---	-៥.៥	---	mV/℃
លេខសម្គាល់	ចរន្តលេចធ្លាយប្រភពបង្ហូរ	VDS=85V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	1	uA
លេខសម្គាល់	ចរន្តលេចធ្លាយប្រភពបង្ហូរ	VDS=85V, VGS=0V, TJ=55℃	---	---	10	uA
IGSS	ច្រកទ្វារ-ប្រភពលេចធ្លាយបច្ចុប្បន្ន	VGS=±25V, VDS=0V	---	---	±100	nA
Rg	ភាពធន់នឹងច្រកទ្វារ	VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz	---	1.0	---	Ω
Qg	បន្ទុកច្រកទ្វារសរុប (10V)	VDS=50V, VGS=10V, ID=50A	---	២៦០	---	nC
Qgs	ថ្លៃដើមច្រកទ្វារ		---	80	---
Qgd	ថ្លៃច្រកទ្វារ - បង្ហូរ		---	60	---
Td(បើក)	បើកម៉ោងពន្យាពេល	VDD=50V, VGS=10V, RG=1Ω,RL=1Ω,IDS=1A។	---	88	---	ns
Tr	ពេលវេលាកើនឡើង		---	50	---
Td(បិទ)	ពេលវេលាពន្យាពេលបិទ		---	២២៨	---
Tf	រដូវស្លឹកឈើជ្រុះ		---	៣២២	---
ស៊ីស	សមត្ថភាពបញ្ចូល	VDS=40V, VGS=0V, f=1MHz	---	13900	---	pF
ខូស	សមត្ថភាពទិន្នផល		---	៦១៦០	---
Crss	សមត្ថភាពផ្ទេរបញ្ច្រាស		---	២២០	---