ការវិភាគលើការបង្កើន និងបន្ថយ MOSFETs

D-FET ស្ថិតនៅក្នុងច្រកទ្វារ 0 លំអៀងនៅពេលដែលអត្ថិភាពនៃឆានែលអាចដំណើរការ FET; E-FET ស្ថិតនៅក្នុងច្រក 0 លំអៀងនៅពេលដែលគ្មានឆានែល មិនអាចដំណើរការ FET បានទេ។ FETs ទាំងពីរប្រភេទនេះមានលក្ខណៈ និងការប្រើប្រាស់ផ្ទាល់ខ្លួន។ ជាទូទៅ ការពង្រឹង FET នៅក្នុងសៀគ្វីថាមពលទាបដែលមានល្បឿនលឿនមានតម្លៃណាស់; ហើយឧបករណ៍នេះកំពុងដំណើរការ វាជាបន្ទាត់រាងប៉ូលនៃច្រកទ្វារ bias voលូនិងបង្ហូរ វ៉ុលដូចគ្នា វាកាន់តែងាយស្រួលក្នុងការរចនាសៀគ្វី។

មធ្យោបាយដែលហៅថាប្រសើរឡើង៖ នៅពេលដែលបំពង់ VGS = 0 គឺជារដ្ឋកាត់ផ្តាច់ បូកនឹង VGS ត្រឹមត្រូវ ភាគច្រើននៃក្រុមហ៊ុនដឹកជញ្ជូនត្រូវបានទាក់ទាញទៅកាន់ច្រកទ្វារ ដូច្នេះ "ពង្រឹង" ក្រុមហ៊ុនដឹកជញ្ជូនក្នុងតំបន់ បង្កើតជាបណ្តាញចរន្ត។ MOSFET ដែលត្រូវបានកែលម្អ n-channel គឺជាមូលដ្ឋាននៃទ្រូប៉ូឡូញស៊ីមេទ្រីឆ្វេងស្តាំ ដែលជាប្រភេទ P-type semiconductor នៅលើការបង្កើតស្រទាប់នៃអ៊ីសូឡង់ខ្សែភាពយន្ត SiO2 ។ វាបង្កើតស្រទាប់អ៊ីសូឡង់នៃខ្សែភាពយន្ត SiO2 នៅលើប្រភេទ P-type semiconductor ហើយបន្ទាប់មកបំភាយតំបន់ N-type doped ខ្លាំងពីរដោយរូបវិទ្យានិងដឹកនាំអេឡិចត្រូតពីតំបន់ប្រភេទ N មួយសម្រាប់បង្ហូរ D និងមួយទៀតសម្រាប់ប្រភព S. ស្រទាប់ដែកអាលុយមីញ៉ូមមួយត្រូវបានលាបលើស្រទាប់អ៊ីសូឡង់រវាងប្រភព និងបំពង់បង្ហូរដែលជាច្រកទ្វារ G. នៅពេល VGS = 0 V មាន diodes មួយចំនួនដែលមាន diodes ពីខាងក្រោយទៅខាងក្រោយរវាងបង្ហូរ និងប្រភព ហើយវ៉ុលរវាង D និង S មិនបង្កើតជាចរន្តរវាង D និង S។ ចរន្តរវាង D និង S មិនត្រូវបានបង្កើតឡើងដោយវ៉ុលដែលបានអនុវត្តទេ។ .

នៅពេលដែលវ៉ុលច្រកត្រូវបានបន្ថែមប្រសិនបើ 0 < VGS < VGS (th) តាមរយៈវាលអគ្គិសនី capacitive ដែលបង្កើតឡើងរវាងច្រកទ្វារនិងស្រទាប់ខាងក្រោមរន្ធ polyon នៅក្នុង semiconductor ប្រភេទ P នៅជិតផ្នែកខាងក្រោមនៃច្រកទ្វារត្រូវបានរុញចុះក្រោមហើយ ស្រទាប់ស្តើងនៃអ៊ីយ៉ុងអវិជ្ជមានលេចឡើង; ក្នុងពេលជាមួយគ្នានេះ វានឹងទាក់ទាញ oligons នៅទីនោះដើម្បីផ្លាស់ទីទៅស្រទាប់ផ្ទៃ ប៉ុន្តែចំនួនមានកំណត់ និងមិនគ្រប់គ្រាន់ដើម្បីបង្កើតជាបណ្តាញ conductive ដែលទំនាក់ទំនងបង្ហូរ និងប្រភព ដូច្នេះវានៅតែមិនគ្រប់គ្រាន់ក្នុងការបង្កើត ID ចរន្តបង្ហូរ។ ការកើនឡើងបន្ថែមទៀត VGS នៅពេលដែល VGS > VGS (th) (VGS (th) ត្រូវបានគេហៅថា turn-on voltage) ដោយសារតែនៅពេលនេះ gate voltage មានភាពខ្លាំងគួរសម នៅក្នុងស្រទាប់ផ្ទៃ semiconductor ប្រភេទ P នៅជិតបាតនៃ gate ខាងក្រោមការប្រមូលផ្តុំជាច្រើនទៀត។ អេឡិចត្រុង អ្នកអាចបង្កើតជាលេណដ្ឋាន បង្ហូរ និងប្រភពទំនាក់ទំនង។ ប្រសិនបើវ៉ុលប្រភពបង្ហូរត្រូវបានបន្ថែមនៅពេលនេះ ចរន្តបង្ហូរអាចត្រូវបានបង្កើតលេខសម្គាល់។ អេឡិចត្រុងនៅក្នុងឆានែល conductive ដែលបង្កើតឡើងនៅខាងក្រោមច្រកទ្វារដោយសារតែរន្ធក្រុមហ៊ុនដឹកជញ្ជូនដែលមានបន្ទាត់រាងប៉ូល semiconductor ប្រភេទ P គឺផ្ទុយគ្នាដូច្នេះវាត្រូវបានគេហៅថាស្រទាប់ប្រឆាំងនឹងប្រភេទ។ នៅពេលដែល VGS បន្តកើនឡើង លេខសម្គាល់នឹងបន្តកើនឡើង។ លេខសម្គាល់ = 0 នៅ VGS = 0V ហើយចរន្តបង្ហូរកើតឡើងតែបន្ទាប់ពី VGS > VGS(th) ដូច្នេះ MOSFET ប្រភេទនេះត្រូវបានគេហៅថាការពង្រឹង MOSFET ។

ទំនាក់ទំនងគ្រប់គ្រងរបស់ VGS លើចរន្តបង្ហូរអាចត្រូវបានពិពណ៌នាដោយខ្សែកោង iD = f(VGS(th))|VDS=const ដែលត្រូវបានគេហៅថាខ្សែកោងលក្ខណៈនៃការផ្ទេរ និងទំហំនៃជម្រាលនៃខ្សែកោងលក្ខណៈផ្ទេរ, gm, ឆ្លុះបញ្ចាំងពីការគ្រប់គ្រងនៃចរន្តបង្ហូរដោយវ៉ុលប្រភពច្រកទ្វារ។ ទំហំនៃ gm គឺ mA / V ដូច្នេះ gm ត្រូវបានគេហៅថា transconductance ផងដែរ។