ភាពខុសគ្នារវាង IGBT និង MOSFET

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) និង MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) គឺជាឧបករណ៍ semiconductor ថាមពលធម្មតាពីរដែលប្រើយ៉ាងទូលំទូលាយនៅក្នុងអេឡិចត្រូនិចថាមពល។ ខណៈពេលដែលទាំងពីរគឺជាសមាសធាតុសំខាន់នៅក្នុងកម្មវិធីផ្សេងៗ ពួកវាខុសគ្នាយ៉ាងខ្លាំងនៅក្នុងទិដ្ឋភាពមួយចំនួន។ ខាងក្រោមនេះគឺជាភាពខុសគ្នាចម្បងរវាង IGBT និង MOSFET៖

1. គោលការណ៍ការងារ

- IGBT៖ IGBT រួមបញ្ចូលគ្នានូវលក្ខណៈរបស់ BJT (Bipolar Junction Transistor) និង MOSFET ដែលធ្វើឱ្យវាជាឧបករណ៍កូនកាត់។ វាគ្រប់គ្រងមូលដ្ឋាននៃ BJT តាមរយៈវ៉ុលច្រកទ្វារនៃ MOSFET ដែលនៅក្នុងវេនគ្រប់គ្រងការបញ្ជូននិងកាត់របស់ BJT ។ ទោះបីជាដំណើរការដំណើរការ និងកាត់ផ្តាច់នៃ IGBT មានភាពស្មុគ្រស្មាញក៏ដោយ វាមានលក្ខណៈពិសេសនៃការខាតបង់តង់ស្យុងចរន្តទាប និងការអត់ធ្មត់តង់ស្យុងខ្ពស់។

- MOSFET: MOSFET គឺជាត្រង់ស៊ីស្ទ័របែបផែនវាលដែលគ្រប់គ្រងចរន្តនៅក្នុង semiconductor តាមរយៈវ៉ុលច្រក។ នៅពេលដែលវ៉ុលច្រកទ្វារលើសពីវ៉ុលប្រភព ស្រទាប់ចំហាយបង្កើតបានដែលអនុញ្ញាតឱ្យចរន្តហូរ។ ផ្ទុយទៅវិញ នៅពេលដែលវ៉ុលច្រកទ្វារស្ថិតនៅក្រោមកម្រិតកំណត់ ស្រទាប់ចរន្តនឹងរលាយបាត់ ហើយចរន្តមិនអាចហូរបានទេ។ ប្រតិបត្តិការរបស់ MOSFET គឺសាមញ្ញណាស់ ជាមួយនឹងល្បឿនប្តូរលឿន។

2. តំបន់កម្មវិធី

- IGBT៖ ដោយសារភាពធន់នឹងតង់ស្យុងខ្ពស់ ការបាត់បង់តង់ស្យុងចរន្តទាប និងដំណើរការប្តូរលឿន IGBT គឺស័ក្តិសមជាពិសេសសម្រាប់កម្មវិធីដែលមានថាមពលខ្ពស់ ការបាត់បង់ទាបដូចជា អាំងវឺតទ័រ កម្មវិធីបញ្ជាម៉ូទ័រ ម៉ាស៊ីនផ្សារ និងការផ្គត់ផ្គង់ថាមពលដែលមិនមានការរំខាន (UPS) ។ . នៅក្នុងកម្មវិធីទាំងនេះ IGBT គ្រប់គ្រងប្រតិបត្តិការប្តូរវ៉ុលខ្ពស់ និងចរន្តខ្ពស់ប្រកបដោយប្រសិទ្ធភាព។

- MOSFET: MOSFET ជាមួយនឹងការឆ្លើយតបរហ័ស ធន់នឹងការបញ្ចូលខ្ពស់ ដំណើរការប្តូរមានស្ថេរភាព និងតម្លៃទាប ត្រូវបានគេប្រើយ៉ាងទូលំទូលាយនៅក្នុងកម្មវិធីដែលមានថាមពលទាប និងរហ័សដូចជាការផ្គត់ផ្គង់ថាមពលក្នុងរបៀបប្តូរ ភ្លើង អំភ្លីអូឌីយ៉ូ និងសៀគ្វីតក្កវិជ្ជា។ . MOSFET ដំណើរការបានល្អជាពិសេសនៅក្នុងកម្មវិធីដែលមានថាមពលទាប និងវ៉ុលទាប។