Gate capacitance, on-resistance និងប៉ារ៉ាម៉ែត្រផ្សេងទៀតនៃ MOSFETs

I. ច្រកទ្វារសមត្ថភាព

Gate capacitance រួមបញ្ចូលជាចម្បង capacitance បញ្ចូល (Ciss), ទិន្នផល capacitance (Coss) និង reverse transfer capacitance (Crss, ត្រូវបានគេស្គាល់ផងដែរថាជា Miller capacitance) ។

សមត្ថភាពបញ្ចូល (ស៊ីស)៖

និយមន័យ៖ Input capacitance គឺជា capacitance សរុបរវាង gate និងប្រភព និង drain ហើយមាន gate source capacitance (Cgs) និង gate drain capacitance (Cgd) ដែលតភ្ជាប់ស្របគ្នា ពោលគឺ Ciss = Cgs + Cgd ។

មុខងារ៖ សមត្ថភាពបញ្ចូលប៉ះពាល់ដល់ល្បឿនប្តូររបស់ MOSFET ។ នៅពេលដែល capacitance បញ្ចូលត្រូវបានចោទប្រកាន់ទៅវ៉ុលកម្រិតមួយ ឧបករណ៍អាចត្រូវបានបើក; បញ្ចេញទៅតម្លៃជាក់លាក់ ឧបករណ៍អាចត្រូវបានបិទ។ ដូច្នេះសៀគ្វីបើកបរ និង Ciss មានផលប៉ះពាល់ដោយផ្ទាល់ទៅលើការពន្យាពេលបើក និងបិទរបស់ឧបករណ៍។

ទិន្នផល capacitance (Coss):

និយមន័យ៖ Output capacitance គឺជា capacitance សរុបរវាង drain និង source ហើយមាន drain-source capacitance (Cds) និង gate-drain capacitance (Cgd) ស្របគ្នាពោលគឺ Coss = Cds + Cgd ។

តួនាទី៖ នៅក្នុងកម្មវិធី Soft-Switching Coss មានសារៈសំខាន់ខ្លាំងណាស់ ព្រោះវាអាចបណ្តាលឱ្យមាន Resonance នៅក្នុងសៀគ្វី។

សមត្ថភាពបញ្ជូនបញ្ច្រាស (Crss)៖

និយមន័យ៖ សមត្ថភាពផ្ទេរបញ្ច្រាសគឺស្មើនឹងច្រកទ្វារបង្ហូរ (Cgd) ហើយជារឿយៗត្រូវបានគេហៅថាសមត្ថភាពរបស់ Miller ។

តួនាទី៖ សមត្ថភាពផ្ទេរបញ្ច្រាសគឺជាប៉ារ៉ាម៉ែត្រសំខាន់សម្រាប់ពេលវេលាកើនឡើង និងធ្លាក់ចុះនៃកុងតាក់ ហើយវាក៏ប៉ះពាល់ដល់ពេលវេលាពន្យាពេលបិទផងដែរ។ តម្លៃ capacitance ថយចុះនៅពេលដែលវ៉ុលប្រភពបង្ហូរកើនឡើង។

II. ការតស៊ូ (Rds(បើក))

និយមន័យៈ On-resistance គឺជាការតស៊ូរវាងប្រភព និងបង្ហូរនៃ MOSFET នៅក្នុងស្ថានភាពដែលស្ថិតក្រោមលក្ខខណ្ឌជាក់លាក់ (ឧទាហរណ៍ ចរន្តលេចធ្លាយជាក់លាក់ វ៉ុលច្រកទ្វារ និងសីតុណ្ហភាព)។

កត្តាដែលជះឥទ្ធិពល៖ ធន់ទ្រាំនឹងមិនមែនជាតម្លៃថេរទេ វាត្រូវបានប៉ះពាល់ដោយសីតុណ្ហភាព សីតុណ្ហភាពកាន់តែខ្ពស់ Rds(on) កាន់តែធំ។ លើសពីនេះ តង់ស្យុងធន់នឹងកាន់តែខ្ពស់ រចនាសម្ព័ន្ធខាងក្នុងរបស់ MOSFET កាន់តែក្រាស់ ការតស៊ូដែលត្រូវគ្នានឹងកាន់តែខ្ពស់។

សារៈសំខាន់: នៅពេលរចនាការផ្គត់ផ្គង់ថាមពលប្តូរ ឬសៀគ្វីកម្មវិធីបញ្ជា វាចាំបាច់ត្រូវពិចារណាលើធន់ទ្រាំរបស់ MOSFET ពីព្រោះចរន្តដែលហូរតាម MOSFET នឹងប្រើប្រាស់ថាមពលលើភាពធន់នេះ ហើយផ្នែកនៃថាមពលប្រើប្រាស់នេះត្រូវបានគេហៅថា on- ការបាត់បង់ភាពធន់។ ការជ្រើសរើស MOSFET ដែលមានភាពធន់ទ្រាំទាបអាចកាត់បន្ថយការបាត់បង់ការតស៊ូ។

ទីបី ប៉ារ៉ាម៉ែត្រសំខាន់ៗផ្សេងទៀត។

បន្ថែមពីលើសមត្ថភាពច្រកទ្វារ និងការទប់ទល់ MOSFET មានប៉ារ៉ាម៉ែត្រសំខាន់ៗមួយចំនួនទៀតដូចជា៖

V(BR)DSS (វ៉ុលបំបែកប្រភពបង្ហូរ):វ៉ុលប្រភពបង្ហូរដែលចរន្តហូរតាមបំពង់បង្ហូរឈានដល់តម្លៃជាក់លាក់មួយនៅសីតុណ្ហភាពជាក់លាក់មួយ ហើយជាមួយនឹងប្រភពច្រកទ្វារត្រូវបានខ្លី។ លើសពីតម្លៃនេះ បំពង់អាចខូច។

VGS(th) (វ៉ុលកម្រិត)៖វ៉ុលច្រកទ្វារតម្រូវឱ្យបណ្តាលឱ្យឆានែលដំណើរការចាប់ផ្តើមបង្កើតរវាងប្រភពនិងបង្ហូរ។ សម្រាប់ស្តង់ដារ N-channel MOSFETs VT គឺប្រហែលពី 3 ទៅ 6V ។

លេខសម្គាល់ (ចរន្តបង្ហូរបន្តអតិបរមា)៖ចរន្ត DC បន្តអតិបរមាដែលអាចត្រូវបានអនុញ្ញាតដោយបន្ទះឈីបនៅសីតុណ្ហភាពប្រសព្វដែលបានវាយតម្លៃអតិបរមា។

IDM (អតិបរិមានៃលំហូរបង្ហូរចេញអតិបរមា)៖ឆ្លុះបញ្ចាំងពីកម្រិតនៃចរន្តជីពចរ ដែលឧបករណ៍អាចគ្រប់គ្រងបាន ដោយចរន្តជីពចរគឺខ្ពស់ជាងចរន្ត DC បន្ត។

PD (ការបំភាយថាមពលអតិបរមា)៖ឧបករណ៍នេះអាចបំភាយការប្រើប្រាស់ថាមពលអតិបរមា។

សរុបមក សមត្ថភាពច្រកទ្វារ ការទប់ទល់ និងប៉ារ៉ាម៉ែត្រផ្សេងទៀតនៃ MOSFET គឺមានសារៈសំខាន់ចំពោះដំណើរការ និងកម្មវិធីរបស់វា ហើយចាំបាច់ត្រូវជ្រើសរើស និងរចនាតាមសេណារីយ៉ូ និងតម្រូវការជាក់លាក់នៃកម្មវិធី។