ជំហានសំខាន់ៗលើការជ្រើសរើស MOSFET

បច្ចុប្បន្ននេះ ជាមួយនឹងការអភិវឌ្ឍន៍យ៉ាងឆាប់រហ័សនៃវិទ្យាសាស្ត្រ និងបច្ចេកវិទ្យា សារធាតុ semiconductors ត្រូវបានប្រើប្រាស់នៅក្នុងឧស្សាហកម្មកាន់តែច្រើនឡើងៗ ដែលក្នុងនោះMOSFET ក៏ត្រូវបានគេចាត់ទុកថាជាឧបករណ៍ semiconductor ធម្មតាផងដែរ ជំហានបន្ទាប់គឺត្រូវយល់ពីអ្វីដែលជាភាពខុសគ្នារវាងលក្ខណៈនៃ transistor គ្រីស្តាល់ថាមពល bipolar និងថាមពលទិន្នផល MOSFET ។

1, របៀបនៃការងារ

MOSFET គឺជាការងារដែលបានទាមទារដើម្បីលើកកម្ពស់វ៉ុលប្រតិបត្តិការ, ដ្យាក្រាមសៀគ្វីពន្យល់ដែលទាក់ទងសាមញ្ញ, លើកកម្ពស់អំណាចនៃតូច; ត្រង់ស៊ីស្ទ័រគ្រីស្តាល់ថាមពលគឺជាលំហូរថាមពលដើម្បីលើកកម្ពស់ការរចនាកម្មវិធីកាន់តែស្មុគស្មាញ ដើម្បីលើកកម្ពស់ការបញ្ជាក់នៃជម្រើសនៃការលំបាកក្នុងការលើកកម្ពស់ការបញ្ជាក់នឹងធ្វើឱ្យការផ្គត់ផ្គង់ថាមពលមានល្បឿនប្តូរសរុប។

2, ល្បឿនប្តូរសរុបនៃការផ្គត់ផ្គង់ថាមពល

MOSFET រងផលប៉ះពាល់ដោយសីតុណ្ហភាពគឺតូចការផ្គត់ផ្គង់ថាមពលប្តូរថាមពលទិន្នផលអាចធានាថាច្រើនជាង 150KHz; power crystal transistor មានពេលវេលាផ្ទុកបន្ទុកឥតគិតថ្លៃតិចតួចបំផុតកំណត់ល្បឿនប្តូរការផ្គត់ផ្គង់ថាមពលរបស់វា ប៉ុន្តែថាមពលទិន្នផលរបស់វាជាទូទៅមិនលើសពី 50KHz ទេ។

3. តំបន់ធ្វើការប្រកបដោយសុវត្ថិភាព

ថាមពល MOSFET មិនមានមូលដ្ឋានបន្ទាប់បន្សំទេ ហើយកន្លែងធ្វើការដែលមានសុវត្ថិភាពគឺធំទូលាយ។ ត្រង់ស៊ីស្ទ័រគ្រីស្តាល់ថាមពលមានស្ថានភាពមូលដ្ឋានបន្ទាប់បន្សំ ដែលកំណត់តំបន់ធ្វើការប្រកបដោយសុវត្ថិភាព។

4. តម្រូវការការងាររបស់ conductor អគ្គិសនី

ថាមពលMOSFET ជាកម្មសិទ្ធិរបស់ប្រភេទតង់ស្យុងខ្ពស់ តម្រូវការដំណើរការចរន្ត វ៉ុលការងារខ្ពស់ជាង មានមេគុណសីតុណ្ហភាពវិជ្ជមាន។ ត្រង់ស៊ីស្ទ័រគ្រីស្តាល់ថាមពល មិនថាមានប្រាក់ប៉ុន្មានទេ ធន់នឹងវ៉ុលការងារ តម្រូវការការងាររបស់ចរន្តអគ្គិសនី វ៉ុលការងារគឺទាបជាង និងមានមេគុណសីតុណ្ហភាពអវិជ្ជមាន។

5, លំហូរថាមពលអតិបរមា

ថាមពល MOSFET នៅក្នុងសៀគ្វីផ្គត់ផ្គង់ថាមពលប្តូរសៀគ្វីផ្គត់ផ្គង់ថាមពល សៀគ្វីផ្គត់ផ្គង់ថាមពល សៀគ្វីផ្គត់ផ្គង់ថាមពលជាកុងតាក់ផ្គត់ផ្គង់ថាមពលក្នុងប្រតិបត្តិការនិងការងារមានស្ថេរភាពនៅកណ្តាលលំហូរថាមពលអតិបរមាគឺទាបជាង; និងត្រង់ស៊ីស្ទ័រគ្រីស្តាល់ថាមពលនៅក្នុងប្រតិបត្តិការនិងការងារមានស្ថេរភាពនៅកណ្តាលលំហូរថាមពលអតិបរមាគឺខ្ពស់ជាង។

6, តម្លៃផលិតផល

តម្លៃនៃថាមពល MOSFET គឺខ្ពស់ជាងបន្តិច; តម្លៃនៃថាមពលគ្រីស្តាល់ triode គឺទាបជាងបន្តិច។

7, ឥទ្ធិពលជ្រៀតចូល

ថាមពល MOSFET មិនមានប្រសិទ្ធិភាពជ្រៀតចូល; ត្រង់ស៊ីស្ទ័រគ្រីស្តាល់ថាមពលមានឥទ្ធិពលជ្រៀតចូល។

8. ការផ្លាស់ប្តូរការបាត់បង់

ការបាត់បង់ការផ្លាស់ប្តូរ MOSFET គឺមិនអស្ចារ្យទេ។ ការបាត់បង់ការផ្លាស់ប្តូរត្រង់ស៊ីស្ទ័រគ្រីស្តាល់ថាមពលគឺមានទំហំធំ។

លើសពីនេះទៀត MOSFET ភាគច្រើននៃថាមពល MOSFET រួមបញ្ចូលគ្នានូវ diode ស្រូបឆក់ ខណៈពេលដែល transistor គ្រីស្តាល់ថាមពល bipolar ស្ទើរតែមិនមាន diode ស្រូបឆក់រួមបញ្ចូលគ្នា។ MOSFET ឆក់ diode ក៏អាចជាមេដែកសកលសម្រាប់ការផ្លាស់ប្តូរសៀគ្វីផ្គត់ផ្គង់ថាមពល មេដែក coils ដើម្បីផ្តល់មុំកត្តាថាមពល។ នៃបណ្តាញសុវត្ថិភាពលំហូរថាមពល។ បំពង់បែបផែនវាលនៅក្នុង diode ស្រូបយកឆក់នៅក្នុងដំណើរការទាំងមូលនៃការបិទជាមួយនឹង diode ទូទៅដែលជាអត្ថិភាពនៃលំហូរចរន្តបញ្ច្រាសនៅពេលនេះ diode នៅលើដៃម្ខាងដើម្បីយកឡើងបង្ហូរ - ប្រភពបង្គោលវិជ្ជមានពាក់កណ្តាលនៃច្រើន ការកើនឡើងនៃតម្រូវការការងារនៃវ៉ុលប្រតិបត្តិការ ម្យ៉ាងវិញទៀត និងលំហូរចរន្តបញ្ច្រាស។