តម្រូវការសៀគ្វីកម្មវិធីបញ្ជា MOSFET

ជាមួយនឹងកម្មវិធីបញ្ជា MOS នាពេលបច្ចុប្បន្ននេះ មានតម្រូវការពិសេសមួយចំនួន៖

1. កម្មវិធីតង់ស្យុងទាប

នៅពេលដែលកម្មវិធីនៃការផ្លាស់ប្តូរ 5Vការផ្គត់ផ្គង់ថាមពលនៅពេលនេះប្រសិនបើការប្រើប្រាស់រចនាសម្ព័ន្ធបង្គោល totem ប្រពៃណីដោយសារតែ triode មានការបាត់បង់តែ 0.7V ឡើងនិងចុះដែលបណ្តាលឱ្យច្រកផ្ទុកចុងក្រោយជាក់លាក់នៅលើវ៉ុលគឺត្រឹមតែ 4.3V នៅពេលនេះការប្រើប្រាស់វ៉ុលច្រកដែលអាចអនុញ្ញាតបាន។ នៃ 4.5VMOSFETs មានកម្រិតជាក់លាក់នៃហានិភ័យ។ស្ថានភាពដូចគ្នា។ វាក៏កើតឡើងផងដែរនៅក្នុងកម្មវិធី 3V ឬការផ្គត់ផ្គង់ថាមពលប្តូរវ៉ុលទាបផ្សេងទៀត។

2. កម្មវិធីវ៉ុលធំទូលាយ

វ៉ុលគន្លឹះមិនមានតម្លៃជាលេខទេ វាប្រែប្រួលពីពេលមួយទៅពេលមួយ ឬដោយសារកត្តាផ្សេងទៀត។ បំរែបំរួលនេះបណ្តាលឱ្យវ៉ុលដ្រាយដែលផ្តល់ឱ្យ MOSFET ដោយសៀគ្វី PWM មិនស្ថិតស្ថេរ។

ដើម្បីធានាសុវត្ថិភាព MOSFET កាន់តែប្រសើរឡើងនៅតង់ស្យុងច្រកទ្វារខ្ពស់ MOSFETs ជាច្រើនបានបង្កប់និយតករតង់ស្យុងដើម្បីបង្ខំដែនកំណត់លើទំហំនៃវ៉ុលច្រកទ្វារ។ ក្នុងករណីនេះនៅពេលដែលវ៉ុលដ្រាយត្រូវបាននាំឱ្យលើសពីវ៉ុលរបស់និយតករការបាត់បង់មុខងារឋិតិវន្តដ៏ធំមួយត្រូវបានបង្កឡើង។

ក្នុងពេលជាមួយគ្នានេះ ប្រសិនបើគោលការណ៍ជាមូលដ្ឋាននៃការបែងចែកតង់ស្យុង resistor ត្រូវបានប្រើដើម្បីកាត់បន្ថយវ៉ុលច្រកទ្វារនោះ វានឹងកើតឡើងថាប្រសិនបើវ៉ុលចុចខ្ពស់នោះ MOSFET ដំណើរការល្អ ហើយប្រសិនបើវ៉ុលចុចត្រូវបានកាត់បន្ថយ វ៉ុលច្រកទ្វារមិនដំណើរការទេ។ គ្រប់គ្រាន់ ដែលបណ្តាលឱ្យមានការបើក និងបិទមិនគ្រប់គ្រាន់ ដែលនឹងបង្កើនការបាត់បង់មុខងារ។

សៀគ្វីការពារចរន្តលើសចំណុះ MOSFET ដើម្បីជៀសវាងឧប្បត្តិហេតុនៃការផ្គត់ផ្គង់ថាមពល (1)

3. កម្មវិធីតង់ស្យុងពីរ

នៅក្នុងសៀគ្វីត្រួតពិនិត្យមួយចំនួន ផ្នែកតក្កវិជ្ជានៃសៀគ្វីអនុវត្តវ៉ុលទិន្នន័យធម្មតា 5V ឬ 3.3V ខណៈពេលដែលផ្នែកថាមពលលទ្ធផលអនុវត្ត 12V ឬច្រើនជាងនេះ ហើយវ៉ុលទាំងពីរត្រូវបានភ្ជាប់ទៅដីរួម។

នេះធ្វើឱ្យវាច្បាស់ថាសៀគ្វីផ្គត់ផ្គង់ថាមពលត្រូវតែត្រូវបានប្រើប្រាស់ដើម្បីឱ្យផ្នែកតង់ស្យុងទាបអាចរៀបចំ MOSFET វ៉ុលខ្ពស់ដោយសមហេតុផលខណៈពេលដែល MOSFET វ៉ុលខ្ពស់នឹងអាចទប់ទល់នឹងការលំបាកដូចគ្នាដែលបានរៀបរាប់នៅក្នុង 1 និង 2 ។

នៅក្នុងករណីទាំងបីនេះ ការសាងសង់បង្គោល totem មិនអាចបំពេញតាមតម្រូវការទិន្នផលទេ ហើយ ICs កម្មវិធីបញ្ជា MOS ដែលមានស្រាប់ជាច្រើនហាក់ដូចជាមិនរួមបញ្ចូលការសាងសង់ដែនកំណត់វ៉ុលច្រកទ្វារទេ។