អំពីគោលការណ៍ការងារនៃថាមពល MOSFET

ថាមពល MOSFETs ដំណើរការតាមវិធីសំខាន់ពីរ៖

(1) នៅពេលដែលតង់ស្យុងវិជ្ជមានត្រូវបានបន្ថែមទៅ D និង S (បង្ហូរវិជ្ជមាន ប្រភពអវិជ្ជមាន) និង UGS=0 ប្រសព្វ PN នៅក្នុងតំបន់តួ P និងតំបន់បង្ហូរ N មានភាពលំអៀងបញ្ច្រាស់ ហើយមិនមានចរន្តឆ្លងកាត់រវាង D និង S. ប្រសិនបើវ៉ុលវិជ្ជមាន UGS ត្រូវបានបន្ថែមរវាង G និង S នោះគ្មានចរន្តច្រកនឹងហូរទេ ដោយសារច្រកទ្វារត្រូវបានអ៊ីសូឡង់ ប៉ុន្តែវ៉ុលវិជ្ជមាននៅច្រកទ្វារនឹងរុញរន្ធចេញពីតំបន់ P នៅក្រោម ហើយអេឡិចត្រុងដឹកជញ្ជូនភាគតិចនឹង ត្រូវបានទាក់ទាញទៅផ្ទៃតំបន់ P នៅពេលដែល UGS ធំជាងវ៉ុលជាក់លាក់មួយ UT កំហាប់អេឡិចត្រុងនៅលើផ្ទៃ P នៅក្រោមច្រកទ្វារនឹងលើសពីកំហាប់រន្ធ ដូច្នេះធ្វើឱ្យស្រទាប់ P-type semiconductor antipattern ស្រទាប់ N-type semiconductor ; ស្រទាប់ antipattern នេះបង្កើតជាឆានែលប្រភេទ N រវាងប្រភព និងបង្ហូរ ដូច្នេះប្រសព្វ PN រលាយបាត់ ប្រភព និងបង្ហូរ conductive និងលេខសម្គាល់ចរន្តបង្ហូរហូរតាមបង្ហូរ។ UT ត្រូវបានគេហៅថា turn-on voltage ឬ threshold voltage ហើយ UGS លើសពី UT សមត្ថភាព conductive កាន់តែច្រើន ហើយ ID កាន់តែធំ។ UGS ធំជាង UT ភាពខ្លាំងនៃចរន្ត លេខសម្គាល់កាន់តែធំ។

(2) នៅពេលដែល D, S បូកវ៉ុលអវិជ្ជមាន (ប្រភពវិជ្ជមានបង្ហូរអវិជ្ជមាន) ប្រសព្វ PN ឆ្ពោះទៅមុខដោយលំអៀងស្មើនឹងឌីអេដបញ្ច្រាសខាងក្នុង (មិនមានលក្ខណៈឆ្លើយតបរហ័ស) នោះគឺMOSFET មិនមានសមត្ថភាពទប់ស្កាត់បញ្ច្រាសទេ អាចត្រូវបានចាត់ទុកថាជាធាតុផ្សំនៃចរន្តបញ្ច្រាស។

    ដោយMOSFET គោលការណ៍នៃប្រតិបត្តិការអាចត្រូវបានគេមើលឃើញ ការដឹកនាំរបស់វាមានតែប៉ូលប៉ូលតែមួយប៉ុណ្ណោះដែលពាក់ព័ន្ធនឹងចរន្ត ដែលគេស្គាល់ថាជា unipolar transistor.MOSFET ជាញឹកញាប់ផ្អែកលើប៉ារ៉ាម៉ែត្រផ្គត់ផ្គង់ថាមពល IC និង MOSFET ដើម្បីជ្រើសរើសសៀគ្វីសមស្រប MOSFET ជាទូទៅត្រូវបានប្រើសម្រាប់ប្តូរ។ សៀគ្វីផ្គត់ផ្គង់ថាមពល។ នៅពេលរចនាការផ្គត់ផ្គង់ថាមពលប្តូរដោយប្រើ MOSFET មនុស្សភាគច្រើនពិចារណាលើធន់ទ្រាំ វ៉ុលអតិបរមា និងចរន្តអតិបរមារបស់ MOSFET ។ ទោះជាយ៉ាងណាក៏ដោយជាញឹកញាប់មនុស្សពិចារណាតែកត្តាទាំងនេះប៉ុណ្ណោះដើម្បីឱ្យសៀគ្វីអាចដំណើរការបានត្រឹមត្រូវប៉ុន្តែវាមិនមែនជាដំណោះស្រាយរចនាដ៏ល្អនោះទេ។ សម្រាប់ការរចនាលម្អិតជាងនេះ MOSFET ក៏គួរពិចារណាអំពីព័ត៌មានប៉ារ៉ាម៉ែត្រផ្ទាល់ខ្លួនរបស់វាផងដែរ។ សម្រាប់ MOSFET ជាក់លាក់មួយ សៀគ្វីបើកបររបស់វា ចរន្តខ្ពស់បំផុតនៃទិន្នផល drive ជាដើម នឹងប៉ះពាល់ដល់ដំណើរការប្តូររបស់ MOSFET ។