តើអ្នកស្គាល់បង្គោលបីរបស់ MOSFET ទេ?

MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) មានបង្គោលបីគឺ៖

ច្រកទ្វារ៖G, ច្រកទ្វារនៃ MOSFET គឺស្មើនឹងមូលដ្ឋាននៃត្រង់ស៊ីស្ទ័រ bipolar និងត្រូវបានប្រើដើម្បីគ្រប់គ្រងចរន្ត និងកាត់ផ្តាច់នៃ MOSFET ។ នៅក្នុង MOSFETs វ៉ុលច្រកទ្វារ (Vgs) កំណត់ថាតើឆានែលចរន្តត្រូវបានបង្កើតឡើងរវាងប្រភពនិងបង្ហូរក៏ដូចជាទទឹងនិងចរន្តនៃឆានែលចរន្ត។ ច្រកទ្វារត្រូវបានធ្វើពីវត្ថុធាតុដូចជាលោហៈ ប៉ូលីស៊ីលីកុន ជាដើម ហើយត្រូវបានហ៊ុំព័ទ្ធដោយស្រទាប់អ៊ីសូឡង់ (ជាធម្មតាស៊ីលីកុនឌីអុកស៊ីត) ដើម្បីការពារចរន្តមិនឱ្យហូរចូលដោយផ្ទាល់ ឬចេញពីច្រកទ្វារ។

ប្រភព៖S ប្រភពនៃ MOSFET គឺស្មើនឹង emitter នៃ transistor bipolar និងជាកន្លែងដែលលំហូរបច្ចុប្បន្ន។ នៅក្នុង N-channel MOSFETs ជាធម្មតាប្រភពត្រូវបានភ្ជាប់ទៅស្ថានីយអវិជ្ជមាន (ឬដី) នៃការផ្គត់ផ្គង់ថាមពលខណៈពេលដែលនៅក្នុង P-channel MOSFETs ប្រភពត្រូវបានភ្ជាប់ទៅស្ថានីយវិជ្ជមាននៃការផ្គត់ផ្គង់ថាមពល។ ប្រភពគឺជាផ្នែកមួយដ៏សំខាន់ដែលបង្កើតជាឆានែលដឹកនាំដែលបញ្ជូនអេឡិចត្រុង (N-channel) ឬរន្ធ (P-channel) ទៅកាន់បង្ហូរនៅពេលដែលវ៉ុលច្រកទ្វារមានកម្រិតខ្ពស់គ្រប់គ្រាន់។

បង្ហូរ៖ឃ ការបង្ហូរនៃ MOSFET គឺស្មើនឹងអ្នកប្រមូលនៃត្រង់ស៊ីស្ទ័រ bipolar និងជាកន្លែងដែលចរន្តហូរចូល។ ការបង្ហូរជាធម្មតាត្រូវបានភ្ជាប់ទៅនឹងបន្ទុកហើយដើរតួជាទិន្នផលបច្ចុប្បន្ននៅក្នុងសៀគ្វី។ នៅក្នុង MOSFET បំពង់បង្ហូរគឺជាចុងម្ខាងទៀតនៃឆានែល conductive ហើយនៅពេលដែលវ៉ុលច្រកទ្វារគ្រប់គ្រងការបង្កើតឆានែល conductive រវាងប្រភពនិងបង្ហូរ ចរន្តអាចហូរចេញពីប្រភពតាមរយៈបណ្តាញ conductive ទៅបង្ហូរ។

សរុបមក ច្រកទ្វាររបស់ MOSFET ត្រូវបានប្រើដើម្បីគ្រប់គ្រងបើក និងបិទ ប្រភពគឺជាកន្លែងដែលចរន្តហូរចេញ ហើយបង្ហូរគឺជាកន្លែងដែលចរន្តហូរចូល។ ជាមួយគ្នា បង្គោលទាំងបីនេះកំណត់ស្ថានភាពប្រតិបត្តិការ និងដំណើរការរបស់ MOSFET .