ទីពីរទំហំនៃការកំណត់ប្រព័ន្ធ
ប្រព័ន្ធអេឡិចត្រូនិចមួយចំនួនត្រូវបានកំណត់ដោយទំហំនៃ PCB និងខាងក្នុង កម្ពស់, such ជាប្រព័ន្ធទំនាក់ទំនង ការផ្គត់ផ្គង់ថាមពលម៉ូឌុលដោយសារការកំណត់កម្ពស់ជាធម្មតាប្រើកញ្ចប់ DFN5 * 6, DFN3 * 3; នៅក្នុងការផ្គត់ផ្គង់ថាមពល ACDC មួយចំនួន ការប្រើប្រាស់ការរចនាស្តើងជ្រុល ឬដោយសារតែដែនកំណត់នៃសែល ការជួបប្រជុំគ្នានៃកញ្ចប់ TO220 នៃជើង MOSFET ថាមពលដែលបានបញ្ចូលដោយផ្ទាល់ទៅក្នុងឫសនៃដែនកំណត់កម្ពស់មិនអាចប្រើកញ្ចប់ TO247 បានទេ។ ការរចនាស្តើងជ្រុលមួយចំនួនពត់ម្ជុលឧបករណ៍ដោយផ្ទាល់ ដំណើរការផលិតការរចនានេះនឹងក្លាយទៅជាស្មុគស្មាញ។
ទីបី ដំណើរការផលិតរបស់ក្រុមហ៊ុន
TO220 មានកញ្ចប់ពីរប្រភេទ៖ កញ្ចប់ដែកទទេ និងកញ្ចប់ផ្លាស្ទិចពេញលេញ កញ្ចប់ដែកទទេ ធន់នឹងកម្ដៅមានទំហំតូច សមត្ថភាពបញ្ចេញកំដៅខ្លាំង ប៉ុន្តែក្នុងដំណើរការផលិត អ្នកត្រូវបន្ថែមការធ្លាក់ចុះនៃអ៊ីសូឡង់ ដំណើរការផលិតគឺស្មុគស្មាញ និងចំណាយច្រើន។ ខណៈពេលដែលភាពធន់នឹងកំដៅកញ្ចប់ប្លាស្ទិកពេញលេញមានទំហំធំ សមត្ថភាពបញ្ចេញកំដៅគឺខ្សោយ ប៉ុន្តែដំណើរការផលិតគឺសាមញ្ញ។
ដើម្បីកាត់បន្ថយដំណើរការសិប្បនិមិត្តនៃការចាក់សោវីស ក្នុងរយៈពេលប៉ុន្មានឆ្នាំចុងក្រោយនេះ ប្រព័ន្ធអេឡិចត្រូនិកមួយចំនួនដែលប្រើក្លីបដើម្បីថាមពលMOSFETs មានការគៀបនៅក្នុងឧបករណ៍ផ្ទុកកំដៅដូច្នេះការលេចឡើងនៃផ្នែក TO220 ប្រពៃណីនៃផ្នែកខាងលើនៃការយកចេញនៃរន្ធនៅក្នុងទម្រង់ថ្មីនៃការ encapsulation ប៉ុន្តែក៏ដើម្បីកាត់បន្ថយកម្ពស់នៃឧបករណ៍។
ទីបួន ការគ្រប់គ្រងការចំណាយ
នៅក្នុងកម្មវិធីមួយចំនួនដែលមានតម្លៃថ្លៃខ្លាំងដូចជា motherboards និង boards ថាមពល MOSFETs នៅក្នុងកញ្ចប់ DPAK ជាធម្មតាត្រូវបានប្រើប្រាស់ដោយសារតែតម្លៃទាបនៃកញ្ចប់បែបនេះ។ ដូច្នេះនៅពេលជ្រើសរើសកញ្ចប់ថាមពល MOSFET រួមបញ្ចូលគ្នាជាមួយរចនាប័ទ្មនិងលក្ខណៈផលិតផលរបស់ក្រុមហ៊ុនរបស់ពួកគេហើយពិចារណាកត្តាខាងលើ។
ទីប្រាំ, ជ្រើស withstand វ៉ុល BVDSS ក្នុងករណីភាគច្រើន, ដោយសារតែការរចនានៃ vo បញ្ចូលអាយុកាលអេឡិចត្រូនិច ប្រព័ន្ធត្រូវបានជួសជុលតិចតួច ក្រុមហ៊ុនបានជ្រើសរើសអ្នកផ្គត់ផ្គង់ជាក់លាក់នៃលេខសម្ភារៈមួយចំនួន វ៉ុលវាយតម្លៃផលិតផលក៏ត្រូវបានជួសជុលផងដែរ។
វ៉ុលបំបែក BVDSS នៃថាមពល MOSFETs នៅក្នុងតារាងទិន្នន័យបានកំណត់លក្ខខណ្ឌសាកល្បង ដោយមានតម្លៃខុសៗគ្នាក្រោមលក្ខខណ្ឌផ្សេងៗគ្នា ហើយ BVDSS មានមេគុណសីតុណ្ហភាពវិជ្ជមាន ក្នុងការអនុវត្តជាក់ស្តែងនៃការរួមបញ្ចូលគ្នានៃកត្តាទាំងនេះគួរតែត្រូវបានពិចារណាក្នុងលក្ខណៈទូលំទូលាយ។
ព័ត៌មាន និងអក្សរសិល្ប៍ជាច្រើនត្រូវបានលើកឡើងជាញឹកញាប់៖ ប្រសិនបើប្រព័ន្ធថាមពល MOSFET VDS នៃវ៉ុលកើនឡើងខ្ពស់បំផុតប្រសិនបើធំជាង BVDSS ទោះបីជារយៈពេលវ៉ុលជីពចរកើនឡើងត្រឹមតែពីរបីឬរាប់សិប NS ថាមពល MOSFET នឹងចូលទៅក្នុងព្រិល។ ហើយដូច្នេះការខូចខាតកើតឡើង។
មិនដូចត្រង់ស៊ីស្ទ័រ និង IGBT ទេ MOSFETs ថាមពលមានសមត្ថភាពទប់ទល់នឹងការរអិលបាក់ដី ហើយក្រុមហ៊ុន semiconductor ធំៗជាច្រើនផ្តល់ថាមពល MOSFET avalanche ថាមពលនៅក្នុងខ្សែសង្វាក់ផលិតកម្មគឺជាការត្រួតពិនិត្យពេញលេញ ការរកឃើញ 100% ពោលគឺនៅក្នុងទិន្នន័យនេះគឺជាការវាស់វែងដែលមានការធានា វ៉ុល avalanche ជាធម្មតាកើតឡើងក្នុង 1.2 ~ 1.3 ដងនៃ BVDSS ហើយរយៈពេលនៃពេលវេលាគឺជាធម្មតា μs សូម្បីតែកម្រិត ms បន្ទាប់មករយៈពេលត្រឹមតែពីរបីឬរាប់សិប ns ទាបជាងវ៉ុលជីពចរ avalanche វ៉ុលមិនធ្វើឱ្យខូច។ ថាមពល MOSFET ។
ប្រាំមួយដោយការជ្រើសរើសវ៉ុលដ្រាយ VTH
ប្រព័ន្ធអេឡិចត្រូនិចផ្សេងគ្នានៃថាមពល MOSFETs វ៉ុលដ្រាយដែលបានជ្រើសរើសគឺមិនដូចគ្នាទេ ការផ្គត់ផ្គង់ថាមពល AC / DC ជាធម្មតាប្រើវ៉ុលដ្រាយ 12V ដែលជាឧបករណ៍បំលែង DC / DC motherboard របស់កុំព្យូទ័រយួរដៃដោយប្រើវ៉ុលដ្រាយ 5V ដូច្នេះយោងទៅតាមវ៉ុលដ្រាយនៃប្រព័ន្ធដើម្បីជ្រើសរើសវ៉ុលកម្រិតខុសគ្នា។ MOSFETs ថាមពល VTH ។
កម្រិតវ៉ុល VTH នៃថាមពល MOSFETs នៅក្នុងតារាងទិន្នន័យក៏បានកំណត់លក្ខខណ្ឌសាកល្បង និងមានតម្លៃខុសៗគ្នាក្រោមលក្ខខណ្ឌផ្សេងៗគ្នា ហើយ VTH មានមេគុណសីតុណ្ហភាពអវិជ្ជមាន។ វ៉ុលនៃដ្រាយផ្សេងគ្នា VGS ត្រូវគ្នាទៅនឹងការទប់ទល់ផ្សេងគ្នា ហើយក្នុងការអនុវត្តជាក់ស្តែង វាចាំបាច់ក្នុងការគិតគូរអំពីសីតុណ្ហភាព។
នៅក្នុងការអនុវត្តជាក់ស្តែង ការប្រែប្រួលសីតុណ្ហភាពគួរតែត្រូវបានគេយកមកពិចារណា ដើម្បីធានាថាថាមពល MOSFET ត្រូវបានបើកយ៉ាងពេញលេញ ស្របពេលជាមួយគ្នានេះធានាថា ការកើនឡើងនៃជីពចរដែលភ្ជាប់ជាមួយបង្គោល G ក្នុងអំឡុងពេលដំណើរការបិទនឹងមិនត្រូវបានបង្កឡើងដោយការកេះមិនពិតទៅ បង្កើតចរន្តត្រង់ឬសៀគ្វីខ្លី។
ពេលវេលាផ្សាយ៖ សីហា-០៣-២០២៤
