ក្នុងនាមជាឧបករណ៍មូលដ្ឋានបំផុតមួយនៅក្នុងវិស័យ semiconductor MOSFETs ត្រូវបានគេប្រើយ៉ាងទូលំទូលាយទាំងនៅក្នុងការរចនា IC និងសៀគ្វីកម្រិតក្តារ។ នាពេលបច្ចុប្បន្ននេះ ជាពិសេសនៅក្នុងវិស័យ semiconductors ដែលមានថាមពលខ្ពស់ រចនាសម្ព័ន្ធផ្សេងគ្នានៃ MOSFETs ក៏ដើរតួរនាទីមិនអាចជំនួសបានដែរ។ សម្រាប់MOSFETsរចនាសម្ព័ន្ធដែលអាចនិយាយបានថាជាសំណុំនៃសាមញ្ញ និងស្មុគស្មាញនៅក្នុងមួយ សាមញ្ញគឺសាមញ្ញនៅក្នុងរចនាសម្ព័ន្ធរបស់វា ស្មុគស្មាញគឺផ្អែកលើការអនុវត្តការពិចារណាស៊ីជម្រៅរបស់វា។ ក្នុងមួយថ្ងៃទៅមួយថ្ងៃ,MOSFET កំដៅក៏ត្រូវបានចាត់ទុកថាជាស្ថានភាពទូទៅផងដែរ គន្លឹះដែលយើងត្រូវដឹងពីមូលហេតុមកពីណា ហើយតើវិធីណាដែលអាចដោះស្រាយបាន? បន្ទាប់មកយើងមកយល់ព្រមគ្នា។
I. មូលហេតុនៃMOSFET កំដៅ
1, បញ្ហានៃការរចនាសៀគ្វី។ វាគឺដើម្បីឱ្យ MOSFET ធ្វើការនៅក្នុងស្ថានភាពអនឡាញ មិនមែននៅក្នុងស្ថានភាពប្តូរនោះទេ។ នេះគឺជាហេតុផលមួយដែល MOSFET ឡើងកំដៅ។ ប្រសិនបើ N-MOS ធ្វើការប្តូរ វ៉ុលកម្រិត G ត្រូវតែខ្ពស់ជាងការផ្គត់ផ្គង់ថាមពលពីរបី V ដើម្បីបើកបានពេញលេញ ហើយផ្ទុយទៅវិញគឺពិតសម្រាប់ P-MOS ។ មិនបានបើកពេញលេញទេហើយការធ្លាក់ចុះតង់ស្យុងធំពេកដែលបណ្តាលឱ្យមានការប្រើប្រាស់ថាមពលសមមូល DC impedance មានទំហំធំ ការធ្លាក់ចុះតង់ស្យុងកើនឡើង ដូច្នេះ U * ខ្ញុំក៏កើនឡើង ការបាត់បង់មានន័យថាកំដៅ។
2, ប្រេកង់ខ្ពស់ពេក។ ភាគច្រើនជួនកាលច្រើនពេកសម្រាប់បរិមាណដែលបណ្តាលឱ្យមានការកើនឡើងប្រេកង់ការបាត់បង់ MOSFET កើនឡើងដែលនាំឱ្យមានកំដៅ MOSFET ផងដែរ។
3, ចរន្តគឺខ្ពស់ពេក។ នៅពេលដែលលេខសម្គាល់តិចជាងចរន្តអតិបរិមា វាក៏នឹងធ្វើឱ្យ MOSFET ឡើងកំដៅផងដែរ។
4, ជម្រើសនៃម៉ូដែល MOSFET គឺខុស។ ភាពធន់ខាងក្នុងរបស់ MOSFET មិនត្រូវបានពិចារណាទាំងស្រុងនោះទេ ដែលបណ្តាលឱ្យមានការកើនឡើងនូវភាពធន់នៃការផ្លាស់ប្តូរ។二
ដំណោះស្រាយសម្រាប់ការបង្កើតកំដៅធ្ងន់ធ្ងររបស់ MOSFET
1, ធ្វើការងារបានល្អលើការរចនាឧបករណ៍ផ្ទុកកំដៅរបស់ MOSFET ។
2, បន្ថែមឧបករណ៍កម្តៅជំនួយគ្រប់គ្រាន់។
3, បិទភ្ជាប់ adhesive លិចកំដៅ។
ពេលវេលាផ្សាយ៖ ឧសភា-១៩-២០២៤
