ស្រទាប់អ៊ីសូឡង់ទ្វារប្រភេទ MOSFET ឈ្មោះក្លែងក្លាយMOSFET (តទៅនេះហៅថា MOSFET) ដែលមានស្រទាប់ខ្សែស៊ីលីកុនឌីអុកស៊ីតនៅចំកណ្តាលវ៉ុលច្រកទ្វារ និងប្រភពបង្ហូរ។
MOSFET ផងដែរ។N-channel និង P-channel ពីរប្រភេទ ប៉ុន្តែប្រភេទនីមួយៗត្រូវបានបែងចែកទៅជាការពង្រឹង និងការបន្ថយពន្លឺប្រភេទទី 2 ដូច្នេះមានសរុបបួនប្រភេទ៖ការកែលម្អ N-channel, ការកែលម្អ P-channel, N-channel light depletion, P-channel light depletion type ។ ប៉ុន្តែនៅកន្លែងដែលវ៉ុលប្រភពច្រកគឺសូន្យ ចរន្តបង្ហូរក៏ជាសូន្យនៃបំពង់ត្រូវបានពង្រឹងបំពង់។ ទោះយ៉ាងណាក៏ដោយនៅកន្លែងដែលវ៉ុលប្រភពច្រកទ្វារគឺសូន្យនោះចរន្តបង្ហូរមិនមែនជាសូន្យត្រូវបានចាត់ថ្នាក់ជាប្រភេទបំពង់ប្រើប្រាស់ពន្លឺ។
គោលការណ៍ MOSFET ដែលត្រូវបានកែលម្អ៖
នៅពេលធ្វើការនៅចំកណ្តាលប្រភពច្រកទ្វារមិនប្រើវ៉ុលទេ ចំនុចកណ្តាលនៃប្រភពបង្ហូរ PN ប្រសព្វស្ថិតនៅក្នុងទិសដៅផ្ទុយ ដូច្នេះវានឹងមិនមានបណ្តាញចរន្តទេ បើទោះបីជាពាក់កណ្តាលនៃប្រភពបង្ហូរដែលមានវ៉ុលក៏ដោយ ចរន្តអគ្គិសនីនៅជាន់ក្រោមត្រូវបានបិទ វាមិនអាចមានចរន្តដំណើរការបានទេ។ នៅពេលដែលពាក់កណ្តាលនៃប្រភពច្រកទ្វារបូកនឹងវ៉ុលទិសដៅវិជ្ជមានទៅតម្លៃជាក់លាក់មួយនៅកណ្តាលនៃប្រភពបង្ហូរនឹងបង្កើតឆានែលសុវត្ថិភាព conductive ដូច្នេះ trench conductive ដែលទើបតែផលិតដោយវ៉ុលប្រភពច្រកនេះត្រូវបានគេហៅថាវ៉ុលបើកចំហ VGS, ធំជាងពាក់កណ្តាលនៃវ៉ុលប្រភពច្រកទ្វារ, លេណដ្ឋាន conductive គឺធំទូលាយ, ដែលនៅក្នុងវេនធ្វើឱ្យតាមរយៈលំហូរនៃអគ្គិសនីកាន់តែច្រើន។
គោលការណ៍នៃការសាយភាយពន្លឺ MOSFET៖
នៅក្នុងប្រតិបត្តិការ គ្មានវ៉ុលណាមួយត្រូវបានប្រើប្រាស់នៅចំកណ្តាលប្រភពច្រកទ្វារ មិនដូចប្រភេទ MOSFET ទេ ហើយបណ្តាញចរន្តមាននៅចំកណ្តាលប្រភពបង្ហូរ ដូច្នេះមានតែវ៉ុលវិជ្ជមានប៉ុណ្ណោះដែលត្រូវបានបន្ថែមទៅពាក់កណ្តាលនៃប្រភពបង្ហូរ ដែល បណ្តាលឱ្យមានលំហូរចរន្ត។ លើសពីនេះទៅទៀតប្រភពច្រកទ្វារនៅកណ្តាលនៃទិសដៅវិជ្ជមាននៃវ៉ុលការពង្រីកឆានែល conductive បន្ថែមទិសដៅផ្ទុយនៃវ៉ុល, ឆានែល conductive រួញ, តាមរយៈលំហូរនៃចរន្តអគ្គិសនីនឹងតូចជាង, ជាមួយនឹងការធ្វើឱ្យប្រសើរឡើងនៃការប្រៀបធៀប MOSFET, វាក៏អាចមាននៅក្នុងចំនួនវិជ្ជមាន និងអវិជ្ជមាននៃចំនួនជាក់លាក់នៃតំបន់នៅក្នុងបណ្តាញ conductive ។
ប្រសិទ្ធភាព MOSFET៖
ដំបូង MOSFETs ត្រូវបានប្រើដើម្បីពង្រីក។ ដោយសារតែភាពធន់នៃការបញ្ចូលរបស់ amplifier MOSFET គឺខ្ពស់ណាស់ ដូច្នេះ capacitor តម្រងអាចមានទំហំតូចជាង ដោយមិនចាំបាច់ប្រើ capacitor electrolytic ឡើយ។
ទីពីរ MOSFET ធន់នឹងការបញ្ចូលខ្ពស់ខ្លាំងណាស់ ជាពិសេសគឺសមរម្យសម្រាប់ការបំប្លែង impedance លក្ខណៈ។ ប្រើជាទូទៅនៅក្នុងដំណាក់កាលបញ្ចូល amplifier ច្រើនកម្រិតសម្រាប់ការបំប្លែង impedance លក្ខណៈ។
MOSFET អាចត្រូវបានប្រើជារេស៊ីស្តង់ដែលអាចលៃតម្រូវបាន។
ទីបួន MOSFET អាចមានភាពងាយស្រួលជាការផ្គត់ផ្គង់ថាមពល DC ។
V. MOSFET អាចត្រូវបានប្រើជាធាតុប្តូរ។
ពេលវេលាបង្ហោះ៖ ថ្ងៃទី២៣ ខែកក្កដា ឆ្នាំ២០២៤
