តើអ្វីជាមូលហេតុនៃកំដៅ Inverter MOSFET?

MOSFET របស់ Inverter ដំណើរការក្នុងស្ថានភាពប្តូរ ហើយចរន្តដែលហូរតាម MOSFET គឺខ្ពស់ណាស់។ ប្រសិនបើ MOSFET មិន​ត្រូវ​បាន​ជ្រើសរើស​ត្រឹមត្រូវ នោះ​ទំហំ​វ៉ុល​បើកបរ​មិន​ធំ​គ្រប់គ្រាន់ ឬ​ការ​បញ្ចេញ​កំដៅ​សៀគ្វី​មិន​ល្អ​ទេ វា​អាច​នឹង​ធ្វើ​ឱ្យ MOSFET ឡើង​កំដៅ។

 

1, កំដៅ Inverter MOSFET គឺធ្ងន់ធ្ងរ, គួរតែយកចិត្តទុកដាក់ទៅMOSFETការជ្រើសរើស

MOSFET នៅក្នុង Inverter ក្នុងស្ថានភាពប្តូរ ជាទូទៅត្រូវការចរន្តបង្ហូររបស់វាឱ្យធំតាមដែលអាចធ្វើបាន ធន់នឹងតូចតាមដែលអាចធ្វើបាន ដូច្នេះអ្នកអាចកាត់បន្ថយការធ្លាក់ចុះតង់ស្យុងឆ្អែតរបស់ MOSFET ដោយហេតុនេះកាត់បន្ថយ MOSFET ចាប់តាំងពីការប្រើប្រាស់ កាត់បន្ថយ កំដៅ។

សូមពិនិត្យមើលសៀវភៅណែនាំរបស់ MOSFET យើងនឹងឃើញថាតម្លៃតង់ស្យុងធន់នឹងរបស់ MOSFET កាន់តែខ្ពស់ ការតស៊ូរបស់វាកាន់តែធំ ហើយអ្នកដែលមានចរន្តបង្ហូរខ្ពស់ តម្លៃតង់ស្យុងទាបនៃ MOSFET ភាពធន់របស់វាជាទូទៅគឺទាបជាងរាប់សិប។ មីល្លីម។

សន្មតថាចរន្តផ្ទុកនៃ 5A យើងជ្រើសរើសអាំងវឺរទ័រដែលប្រើជាទូទៅ MOSFETRU75N08R និងទប់ទល់នឹងតម្លៃវ៉ុល 500V 840 អាចជា ចរន្តបង្ហូររបស់ពួកគេគឺនៅក្នុង 5A ឬច្រើនជាងនេះ ប៉ុន្តែភាពធន់នៃ MOSFET ទាំងពីរគឺខុសគ្នា ជំរុញចរន្តដូចគ្នា ភាពខុសគ្នានៃកំដៅរបស់ពួកគេគឺធំណាស់។ 75N08R on-resistance គឺត្រឹមតែ 0.008Ω ខណៈពេលដែល on-resistance 840 on-resistance 75N08R គឺត្រឹមតែ 0.008Ω ខណៈពេលដែល on-resistance 840 គឺ 0.85Ω។ នៅពេលដែលចរន្តផ្ទុកដែលហូរតាមរយៈ MOSFET គឺ 5A ការធ្លាក់ចុះតង់ស្យុងនៃ MOSFET របស់ 75N08R គឺត្រឹមតែ 0.04V ហើយការប្រើប្រាស់ MOSFET នៃ MOSFET គឺត្រឹមតែ 0.2W ប៉ុណ្ណោះ ខណៈដែលតង់ស្យុងធ្លាក់ចុះនៃ MOSFET របស់ 840 អាចឡើងដល់ 4.25W ហើយការប្រើប្រាស់។ នៃ MOSFET គឺខ្ពស់រហូតដល់ 21.25W ។ ពីនេះវាអាចត្រូវបានគេមើលឃើញថានៅលើធន់ទ្រាំនឹង MOSFET គឺខុសពីនៅលើធន់ទ្រាំនៃ 75N08R ហើយការបង្កើតកំដៅរបស់ពួកគេគឺខុសគ្នាខ្លាំងណាស់។ ភាពធន់របស់ MOSFET កាន់តែតូច ភាពធន់នឹង MOSFET កាន់តែល្អ បំពង់ MOSFET ក្រោមការប្រើប្រាស់ចរន្តខ្ពស់គឺមានទំហំធំណាស់។

 

2, សៀគ្វីបើកបរនៃអំព្លីតវ៉ុលបើកបរមិនធំគ្រប់គ្រាន់ទេ។

MOSFET គឺជាឧបករណ៍ត្រួតពិនិត្យវ៉ុល ប្រសិនបើអ្នកចង់កាត់បន្ថយការប្រើប្រាស់បំពង់ MOSFET កាត់បន្ថយកំដៅ អំព្លីទីតវ៉ុលរបស់ច្រកទ្វារ MOSFET គួរតែធំល្មម ជំរុញគែមជីពចរទៅចោត អាចកាត់បន្ថយMOSFETការធ្លាក់ចុះតង់ស្យុងបំពង់ កាត់បន្ថយការប្រើប្រាស់បំពង់ MOSFET ។

 

3, ការរលាយកំដៅ MOSFET មិនមែនជាមូលហេតុល្អទេ។

កំដៅ Inverter MOSFET គឺធ្ងន់ធ្ងរ។ ដោយសារការប្រើប្រាស់បំពង់ Inverter MOSFET មានទំហំធំ ការងារជាទូទៅតម្រូវឱ្យមានផ្ទៃខាងក្រៅធំល្មមនៃឧបករណ៍ផ្ទុកកំដៅ ហើយឧបករណ៍ផ្ទុកកំដៅខាងក្រៅ និង MOSFET ខ្លួនវាផ្ទាល់រវាងឧបករណ៍ផ្ទុកកំដៅគួរតែមានទំនាក់ទំនងជិតស្និទ្ធ (ជាទូទៅតម្រូវឱ្យស្រោបដោយចរន្តកំដៅ។ ខាញ់ស៊ីលីកុន) ប្រសិនបើឧបករណ៍ផ្ទុកកំដៅខាងក្រៅមានទំហំតូចជាង ឬជាមួយ MOSFET ខ្លួនវាមិនជិតគ្រប់គ្រាន់ទៅនឹងទំនាក់ទំនងរបស់ឧបករណ៍ផ្ទុកកំដៅ អាចនាំឱ្យមានកំដៅ MOSFET ។

កំដៅ Inverter MOSFET ធ្ងន់ធ្ងរ មានហេតុផលបួនយ៉ាងសម្រាប់ការសង្ខេប។

ការឡើងកំដៅបន្តិចរបស់ MOSFET គឺជាបាតុភូតធម្មតា ប៉ុន្តែការឡើងកំដៅគឺធ្ងន់ធ្ងរ ហើយសូម្បីតែនាំឱ្យ MOSFET ត្រូវបានដុតក៏មានហេតុផលបួនយ៉ាងខាងក្រោម៖

 

1, បញ្ហានៃការរចនាសៀគ្វី

អនុញ្ញាតឱ្យ MOSFET ដំណើរការក្នុងស្ថានភាពប្រតិបត្តិការលីនេអ៊ែរ ជាជាងនៅក្នុងស្ថានភាពសៀគ្វីប្តូរ។ វាក៏ជាមូលហេតុមួយនៃកំដៅ MOSFET ផងដែរ។ ប្រសិនបើ N-MOS កំពុងធ្វើការប្តូរ នោះវ៉ុលកម្រិត G ត្រូវតែមាន V ពីរបីខ្ពស់ជាងការផ្គត់ផ្គង់ថាមពលដែលត្រូវបើកពេញ ខណៈ P-MOS គឺផ្ទុយពីនេះ។ មិនបើកចំហពេញលេញទេហើយការធ្លាក់ចុះតង់ស្យុងធំពេកដែលបណ្តាលឱ្យមានការប្រើប្រាស់ថាមពលសមមូល DC impedance ធំជាងការធ្លាក់ចុះតង់ស្យុងកើនឡើងដូច្នេះ U * ខ្ញុំក៏កើនឡើងការបាត់បង់មានន័យថាកំដៅ។ នេះគឺជាកំហុសដែលជៀសវាងបំផុតក្នុងការរចនាសៀគ្វី។

 

2, ប្រេកង់ខ្ពស់ពេក

មូលហេតុចំបងគឺថា ពេលខ្លះការស្វែងរកបរិមាណច្រើនហួសហេតុ ដែលបណ្តាលឱ្យមានការកើនឡើងនូវប្រេកង់។MOSFETការខាតបង់លើទំហំធំដូច្នេះកំដៅក៏កើនឡើងផងដែរ។

 

3, ការរចនាកំដៅមិនគ្រប់គ្រាន់

ប្រសិនបើចរន្តខ្ពស់ពេក តម្លៃបច្ចុប្បន្នបន្ទាប់បន្សំនៃ MOSFET ជាធម្មតាតម្រូវឱ្យមានការរលាយកំដៅល្អដើម្បីសម្រេចបាន។ ដូច្នេះលេខសម្គាល់គឺតិចជាងចរន្តអតិបរមា វាក៏អាចឡើងកំដៅយ៉ាងធ្ងន់ធ្ងរផងដែរ ត្រូវការឧបករណ៍កម្តៅជំនួយគ្រប់គ្រាន់។

 

4, ការជ្រើសរើស MOSFET គឺខុស

ការវិនិច្ឆ័យខុសនៃថាមពល ភាពធន់ខាងក្នុងរបស់ MOSFET មិនត្រូវបានពិចារណាទាំងស្រុងនោះទេ ដែលបណ្តាលឱ្យមានការកើនឡើងនូវភាពធន់នៃការផ្លាស់ប្តូរ។