នេះគឺជាកញ្ចប់មួយ។MOSFETឧបករណ៍ចាប់សញ្ញាអ៊ីនហ្វ្រារ៉េដ pyroelectric ។ ស៊ុមចតុកោណគឺជាបង្អួចចាប់សញ្ញា។ ម្ជុល G គឺជាស្ថានីយដី ម្ជុល D គឺជាបំពង់បង្ហូរ MOSFET ខាងក្នុង ហើយម្ជុល S គឺជាប្រភព MOSFET ខាងក្នុង។ នៅក្នុងសៀគ្វី G ត្រូវបានភ្ជាប់ទៅនឹងដី D ត្រូវបានភ្ជាប់ទៅនឹងការផ្គត់ផ្គង់ថាមពលវិជ្ជមានសញ្ញាអ៊ីនហ្វ្រារ៉េដត្រូវបានបញ្ចូលពីបង្អួចហើយសញ្ញាអគ្គិសនីត្រូវបានបញ្ចេញពី S ។
ច្រកទ្វារវិនិច្ឆ័យ G
កម្មវិធីបញ្ជា MOS ដើរតួយ៉ាងសំខាន់ក្នុងការបង្កើតទម្រង់រលក និងការពង្រឹងការបើកបរ៖ ប្រសិនបើទម្រង់រលកសញ្ញា G នៃMOSFETវាមិនចោតគ្រប់គ្រាន់ទេ វានឹងបណ្តាលឱ្យបាត់បង់ថាមពលច្រើនក្នុងអំឡុងពេលប្តូរ ផលប៉ះពាល់របស់វាគឺកាត់បន្ថយប្រសិទ្ធភាពនៃការបំប្លែងសៀគ្វី។ MOSFET នឹងមានគ្រុនក្តៅខ្លាំង ហើយងាយរងការខូចខាតដោយសារកំដៅ។ មាន capacitance ជាក់លាក់មួយរវាង MOSFETGS ។ ប្រសិនបើសមត្ថភាពបើកបរសញ្ញា G មិនគ្រប់គ្រាន់ វានឹងប៉ះពាល់យ៉ាងធ្ងន់ធ្ងរដល់ពេលវេលាលោតទម្រង់រលក។
សៀគ្វីខ្លីនៃបង្គោល GS ជ្រើសរើសកម្រិត R × 1 នៃ multimeter ភ្ជាប់តេស្តខ្មៅទៅបង្គោល S ហើយការធ្វើតេស្តពណ៌ក្រហមនាំទៅបង្គោល D ។ ភាពធន់ទ្រាំគួរតែមានពីពីរបី Ω ទៅច្រើនជាងដប់ Ω ។ ប្រសិនបើវាត្រូវបានរកឃើញថា Resistance នៃ pin ជាក់លាក់មួយ និង pin 2 របស់វាគឺ infinite ហើយវានៅតែ infinite បន្ទាប់ពីផ្លាស់ប្តូរ test leads វាត្រូវបានបញ្ជាក់ថា pin នេះគឺជា pin G ព្រោះវាត្រូវបានអ៊ីសូឡង់ពី pin ពីរផ្សេងទៀត។
កំណត់ប្រភព S និងបង្ហូរ D
កំណត់ multimeter ទៅ R × 1k ហើយវាស់ភាពធន់រវាងម្ជុលទាំងបីរៀងគ្នា។ ប្រើវិធីសាស្ត្រផ្លាស់ប្តូរតេស្តនាំមុខដើម្បីវាស់ស្ទង់ភាពធន់ពីរដង។ មួយដែលមានតម្លៃ Resistance ទាប (ជាទូទៅពីបីពាន់ Ω ទៅជាងមួយម៉ឺន Ω) គឺជាការតស៊ូទៅមុខ។ នៅពេលនេះ មេតេស្តខ្មៅគឺបង្គោល S ហើយតេស្តពណ៌ក្រហមត្រូវបានភ្ជាប់ទៅនឹងបង្គោល D។ ដោយសារលក្ខខណ្ឌតេស្តផ្សេងៗគ្នា តម្លៃ RDS(on) ដែលបានវាស់គឺខ្ពស់ជាងតម្លៃធម្មតាដែលបានផ្ដល់ឱ្យក្នុងសៀវភៅណែនាំ។
អំពីMOSFET
ត្រង់ស៊ីស្ទ័រមានឆានែលប្រភេទ N ដូច្នេះវាត្រូវបានគេហៅថា N-channelMOSFET, ឬNMOS. P-channel MOS (PMOS) FET ក៏មានដែរ ដែលជា PMOSFET ផ្សំឡើងពី BACKGATE N-type doped ស្រាល និងប្រភព P-type និងបង្ហូរ។
ដោយមិនគិតពីប្រភេទ N ឬ P-type MOSFET គោលការណ៍ការងាររបស់វាគឺសំខាន់ដូចគ្នា។ MOSFET គ្រប់គ្រងចរន្តនៅបង្ហូរនៃស្ថានីយទិន្នផលដោយវ៉ុលដែលបានអនុវត្តទៅច្រកទ្វារនៃស្ថានីយបញ្ចូល។ MOSFET គឺជាឧបករណ៍គ្រប់គ្រងវ៉ុល។ វាគ្រប់គ្រងលក្ខណៈនៃឧបករណ៍តាមរយៈវ៉ុលដែលបានអនុវត្តទៅច្រកទ្វារ។ វាមិនបណ្តាលឱ្យមានប្រសិទ្ធិភាពនៃការផ្ទុកបន្ទុកដែលបណ្តាលមកពីចរន្តមូលដ្ឋាននៅពេលដែលត្រង់ស៊ីស្ទ័រត្រូវបានប្រើសម្រាប់ការប្តូរ។ ដូច្នេះ ក្នុងការប្តូរកម្មវិធីMOSFETsគួរតែប្តូរលឿនជាងត្រង់ស៊ីស្ទ័រ។
FET ក៏ទទួលបានឈ្មោះរបស់វាផងដែរពីការពិតដែលថាការបញ្ចូលរបស់វា (ហៅថាច្រកទ្វារ) ប៉ះពាល់ដល់ចរន្តដែលហូរតាមរយៈត្រង់ស៊ីស្ទ័រដោយការបញ្ចាំងវាលអគ្គីសនីទៅលើស្រទាប់អ៊ីសូឡង់។ តាមការពិតមិនមានចរន្តហូរកាត់អ៊ីសូឡង់នេះទេដូច្នេះចរន្ត GATE នៃបំពង់ FET គឺតូចណាស់។
FET ទូទៅបំផុតប្រើស្រទាប់ស្តើងនៃស៊ីលីកុនឌីអុកស៊ីតជាអ៊ីសូឡង់នៅក្រោម GATE ។
ត្រង់ស៊ីស្ទ័រប្រភេទនេះត្រូវបានគេហៅថា ត្រង់ស៊ីស្ទ័រដែកអុកស៊ីដ semiconductor (MOS) ឬ, metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) ។ ដោយសារតែ MOSFETs មានទំហំតូចជាង និងមានប្រសិទ្ធភាពជាង ពួកគេបានជំនួសត្រង់ស៊ីស្ទ័រ bipolar នៅក្នុងកម្មវិធីជាច្រើន។
ពេលវេលាផ្សាយ៖ វិច្ឆិកា-១០-២០២៣
