(1) ឥទ្ធិពលនៃការគ្រប់គ្រង vGS នៅលើ ID និងឆានែល
① ករណី vGS=0
វាអាចត្រូវបានគេមើលឃើញថាមានប្រសព្វ PN ពីរទៅខាងក្រោយរវាងបង្ហូរ d និងប្រភព s នៃរបៀបធ្វើឱ្យប្រសើរឡើងMOSFET.
នៅពេលដែលវ៉ុលប្រភពច្រកទ្វារ vGS=0 ទោះបីជាវ៉ុលប្រភពបង្ហូរ vDS ត្រូវបានបន្ថែមក៏ដោយ ហើយដោយមិនគិតពីបន្ទាត់រាងប៉ូលនៃ vDS វាតែងតែមានប្រសព្វ PN នៅក្នុងស្ថានភាពលំអៀងបញ្ច្រាស។ មិនមានបណ្តាញចរន្តរវាងបង្ហូរ និងប្រភពទេ ដូច្នេះចរន្តបង្ហូរ ID≈0 នៅពេលនេះ។
② ករណីនៃ vGS> 0
ប្រសិនបើ vGS>0 វាលអគ្គិសនីមួយត្រូវបានបង្កើតនៅក្នុងស្រទាប់អ៊ីសូឡង់ SiO2 រវាងច្រកទ្វារ និងស្រទាប់ខាងក្រោម។ ទិសដៅនៃវាលអគ្គីសនីគឺកាត់កែងទៅនឹងវាលអគ្គីសនីដែលដឹកនាំពីច្រកទ្វារទៅស្រទាប់ខាងក្រោមនៅលើផ្ទៃ semiconductor ។ វាលអគ្គីសនីនេះរុញរន្ធ និងទាក់ទាញអេឡិចត្រុង។ Repelling holes: រន្ធនៅក្នុងស្រទាប់ P-type នៅជិតច្រកទ្វារត្រូវបាន repelled ដោយបន្សល់ទុកនូវ immovable acceptor ions ( ions negative ) ដើម្បីបង្កើតស្រទាប់ depletion ។ ទាក់ទាញអេឡិចត្រុង៖ អេឡិចត្រុង (អ្នកដឹកជញ្ជូនជនជាតិភាគតិច) នៅក្នុងស្រទាប់ខាងក្រោមប្រភេទ P ត្រូវបានទាក់ទាញទៅលើផ្ទៃស្រទាប់ខាងក្រោម។
(2) ការបង្កើតឆានែលចរន្ត៖
នៅពេលដែលតម្លៃ vGS មានទំហំតូច ហើយសមត្ថភាពក្នុងការទាក់ទាញអេឡិចត្រុងមិនខ្លាំង វានៅតែមិនមានបណ្តាញ conductive រវាងបង្ហូរ និងប្រភព។ នៅពេលដែល vGS កើនឡើង អេឡិចត្រុងកាន់តែច្រើនត្រូវបានទាក់ទាញទៅស្រទាប់ផ្ទៃនៃស្រទាប់ខាងក្រោម P ។ នៅពេលដែល vGS ឈានដល់តម្លៃជាក់លាក់មួយ អេឡិចត្រុងទាំងនេះបង្កើតជាស្រទាប់ស្តើងប្រភេទ N នៅលើផ្ទៃនៃស្រទាប់ខាងក្រោម P នៅជិតច្រកទ្វារ ហើយត្រូវបានភ្ជាប់ទៅតំបន់ N+ ទាំងពីរ បង្កើតជាបណ្តាញចរន្តប្រភេទ N រវាងបង្ហូរ និងប្រភព។ ប្រភេទចរន្តរបស់វាគឺផ្ទុយទៅនឹងស្រទាប់ខាងក្រោម P ដូច្នេះវាត្រូវបានគេហៅថាស្រទាប់បញ្ច្រាសផងដែរ។ vGS ធំជាង វាលអគ្គិសនីដែលដើរតួរលើផ្ទៃ semiconductor កាន់តែរឹងមាំ អេឡិចត្រុងកាន់តែច្រើនត្រូវបានទាក់ទាញទៅលើផ្ទៃ P substrate បណ្តាញ conductive កាន់តែក្រាស់ ហើយភាពធន់នៃឆានែលគឺតូចជាង។ វ៉ុលប្រភពច្រកទ្វារនៅពេលដែលឆានែលចាប់ផ្តើមបង្កើតត្រូវបានគេហៅថាវ៉ុលបើកដែលតំណាងដោយ VT ។
នេះ។N-channel MOSFETដែលបានពិភាក្សាខាងលើមិនអាចបង្កើតជាឆានែលចរន្តនៅពេលដែល vGS < VT ហើយបំពង់ស្ថិតក្នុងស្ថានភាពកាត់ផ្តាច់។ លុះត្រាតែ vGS≥VT អាចបង្កើតប៉ុស្តិ៍បាន។ ប្រភេទនេះ។MOSFETដែលត្រូវតែបង្កើតជាបណ្តាញ conductive នៅពេលដែល vGS≥VT ត្រូវបានគេហៅថា របៀបធ្វើអោយប្រសើរឡើងMOSFET. បន្ទាប់ពីឆានែលត្រូវបានបង្កើតឡើង ចរន្តបង្ហូរត្រូវបានបង្កើតនៅពេលដែលតង់ស្យុងបញ្ជូនបន្ត vDS ត្រូវបានអនុវត្តរវាងបង្ហូរនិងប្រភព។ ឥទ្ធិពលនៃ vDS លើ ID នៅពេលដែល vGS>VT និងជាតម្លៃជាក់លាក់ ឥទ្ធិពលនៃវ៉ុលប្រភព vDS នៅលើបណ្តាញ conductive និងលេខសម្គាល់បច្ចុប្បន្នគឺស្រដៀងនឹងត្រង់ស៊ីស្ទ័រប្រសព្វប្រសព្វ។ ការធ្លាក់ចុះតង់ស្យុងដែលបង្កើតឡើងដោយ ID ចរន្តបង្ហូរតាមឆានែលធ្វើឱ្យវ៉ុលរវាងចំណុចនីមួយៗនៅក្នុងឆានែលនិងច្រកទ្វារលែងស្មើគ្នា។ វ៉ុលនៅចុងបញ្ចប់ដែលនៅជិតប្រភពគឺធំបំផុតដែលឆានែលគឺក្រាស់បំផុត។ វ៉ុលនៅចុងបង្ហូរគឺតូចបំផុត ហើយតម្លៃរបស់វាគឺ VGD=vGS-vDS ដូច្នេះឆានែលគឺស្តើងបំផុតនៅទីនេះ។ ប៉ុន្តែនៅពេលដែល vDS តូច (vDS
ពេលវេលាបង្ហោះ៖ ថ្ងៃទី ១២-វិច្ឆិកា ឆ្នាំ២០២៣
