Olukey ពន្យល់ពីប៉ារ៉ាម៉ែត្រនៃ MOSFET សម្រាប់អ្នក!

ក្នុងនាមជាឧបករណ៍មូលដ្ឋានបំផុតមួយនៅក្នុងវិស័យ semiconductor MOSFET ត្រូវបានប្រើប្រាស់យ៉ាងទូលំទូលាយទាំងក្នុងការរចនា IC និងកម្មវិធីសៀគ្វីកម្រិតក្តារ។ ដូច្នេះតើអ្នកដឹងប៉ុន្មានអំពីប៉ារ៉ាម៉ែត្រផ្សេងៗនៃ MOSFET? ក្នុងនាមជាអ្នកឯកទេសខាង MOSFETs តង់ស្យុងមធ្យម និងទាប។អូលូគីនឹងពន្យល់អ្នកយ៉ាងលម្អិតអំពីប៉ារ៉ាម៉ែត្រផ្សេងៗនៃ MOSFETs!

ប្រភពបង្ហូរអតិបរមា VDSS ទប់ទល់នឹងវ៉ុល

វ៉ុលប្រភពបង្ហូរនៅពេលដែលចរន្តបង្ហូរឈានដល់តម្លៃជាក់លាក់មួយ (កើនឡើងយ៉ាងខ្លាំង) នៅក្រោមសីតុណ្ហភាពជាក់លាក់ និងសៀគ្វីខ្លីប្រភពច្រក។ វ៉ុលប្រភពបង្ហូរក្នុងករណីនេះត្រូវបានគេហៅថាវ៉ុលបំបែក avalanche ផងដែរ។ VDSS មានមេគុណសីតុណ្ហភាពវិជ្ជមាន។ នៅ -50 ° C, VDSS គឺប្រហែល 90% នៃវានៅ 25 ° C ។ ដោយសារតែប្រាក់ឧបត្ថម្ភជាធម្មតាបានចាកចេញនៅក្នុងផលិតកម្មធម្មតាវ៉ុលបំបែក avalanche នៃMOSFETតែងតែធំជាងវ៉ុលដែលបានវាយតម្លៃបន្ទាប់បន្សំ។

ការរំលឹកដ៏កក់ក្តៅរបស់ Olukey៖ ដើម្បីធានាបាននូវភាពជឿជាក់នៃផលិតផល នៅក្រោមលក្ខខណ្ឌការងារដ៏អាក្រក់បំផុត វាត្រូវបានណែនាំថា វ៉ុលការងារមិនគួរលើសពី 80 ~ 90% នៃតម្លៃដែលបានវាយតម្លៃនោះទេ។

ប្រភពច្រកទ្វារអតិបរមា VGSS ទប់ទល់នឹងវ៉ុល

វាសំដៅទៅលើតម្លៃ VGS នៅពេលដែលចរន្តបញ្ច្រាសរវាងច្រកទ្វារ និងប្រភពចាប់ផ្តើមកើនឡើងយ៉ាងខ្លាំង។ លើសពីតម្លៃវ៉ុលនេះនឹងបណ្តាលឱ្យមានការបំបែក dielectric នៃស្រទាប់អុកស៊ីដច្រកទ្វារ ដែលជាការបំបែកបំផ្លិចបំផ្លាញ និងមិនអាចត្រឡប់វិញបាន។