ការវិភាគប៉ារ៉ាម៉ែត្រនិងការវាស់វែងនៃ MOSFETs

មានប៉ារ៉ាម៉ែត្រចំបងជាច្រើនប្រភេទMOSFETដែលមានផ្ទុកចរន្ត DC ប៉ារ៉ាម៉ែត្រចរន្ត AC និងប៉ារ៉ាម៉ែត្រកំណត់ ប៉ុន្តែកម្មវិធីទូទៅគ្រាន់តែត្រូវការយកចិត្តទុកដាក់លើប៉ារ៉ាម៉ែត្រមូលដ្ឋានខាងក្រោមប៉ុណ្ណោះ៖ ស្ថានភាពតិត្ថិភាពនៃប្រភពលេចធ្លាយបច្ចុប្បន្ន IDSS pinch-off voltage Up, transconductance gm, leakage source breakdown voltage BUDS, ថាមពលទិន្នផលការបាត់បង់ធំជាង PDSM និងប្រភពលេចធ្លាយធំជាង IDSM បច្ចុប្បន្ន។

1.Saturated លេចធ្លាយបច្ចុប្បន្នប្រភព

ចរន្តប្រភពទឹកឆ្អែត IDSS មានន័យថា ចរន្តប្រភពបង្ហូរនៅវ៉ុលច្រកទ្វារ UGS = 0 នៅក្នុងប្រសព្វ ឬ depletion type insulated-layer gate MOSFETs ។

2. តង់ស្យុងបិទ

pinch-off voltage UP មានន័យថា វ៉ុលដំណើរការនៃច្រកទ្វារនៅក្នុងប្រសព្វ ឬ depletion type insulated gate gateMOSFETដែលធ្វើឱ្យប្រភពបង្ហូរគ្រាន់តែកាត់ផ្តាច់។ ស្វែងយល់ថាតើ IDSS និង UP មានន័យយ៉ាងណា។

3. បើកវ៉ុល

វ៉ុលបើកដំណើរការ UT មានន័យថាវ៉ុលប្រតិបត្តិការរបស់ច្រកទ្វារនៅក្នុង MOSFET ច្រកទ្វារដែលមានអ៊ីសូឡង់ដែលបានពង្រឹង ដូច្នេះការតភ្ជាប់ប្រភពបង្ហូរត្រូវបានបើក។ ស្វែងយល់ថាតើ UT មានន័យយ៉ាងណា។

4. ការណែនាំឆ្លងកាត់

transguide gm ត្រូវបានប្រើដើម្បីបង្ហាញពីសមត្ថភាពនៃវ៉ុលប្រភពច្រកទ្វារដើម្បីគ្រប់គ្រងចរន្តបង្ហូរ ពោលគឺសមាមាត្ររវាងការផ្លាស់ប្តូរនៃចរន្តបង្ហូរ និងការផ្លាស់ប្តូរវ៉ុលប្រភពច្រកទ្វារ។

5, ការបាត់បង់អតិបរមានៃថាមពលទិន្នផលr

ថាមពលទិន្នផលការបាត់បង់អតិបរមាក៏ជាកម្មសិទ្ធិរបស់ប៉ារ៉ាម៉ែត្រដែនកំណត់ដែលមានន័យថាថាមពលការបាត់បង់ប្រភពអតិបរមាដែលអាចអនុញ្ញាតបាននៅពេលដំណើរការនៃMOSFETគឺធម្មតានិងមិនប៉ះពាល់។ នៅពេលយើងប្រើ MOSFET ការបាត់បង់មុខងាររបស់វាគួរតែទាបជាង PDSM និងតម្លៃជាក់លាក់មួយ។

6. ចរន្តប្រភពលេចធ្លាយអតិបរមា

ចរន្តប្រភពបង្ហូរអតិបរមា IDSM ក៏ជាប៉ារ៉ាម៉ែត្រកំណត់ដែលមានន័យថា ចរន្តអតិបរិមាដែលអនុញ្ញាតឱ្យឆ្លងកាត់រវាងបង្ហូរ និងប្រភពនៃ MOSFET កំឡុងពេលប្រតិបត្តិការធម្មតា ហើយមិនត្រូវលើសពីពេលដែល MOSFET ដំណើរការ។

olukey បានក្លាយជាភ្នាក់ងារមួយក្នុងចំណោមភ្នាក់ងារដែលរីកចម្រើនបំផុត និងលឿនបំផុតនៅអាស៊ី តាមរយៈការអភិវឌ្ឍន៍ទីផ្សារសកម្ម និងការរួមបញ្ចូលធនធានប្រកបដោយប្រសិទ្ធភាព ហើយការក្លាយជាភ្នាក់ងារដ៏មានតម្លៃបំផុតក្នុងពិភពលោក គឺជាគោលដៅរួមរបស់ olukey ។