សូមក្រឡេកមើល MOSFETs

MOSFETs កំពុងអ៊ីសូឡង់ MOSFETs នៅក្នុងសៀគ្វីរួមបញ្ចូលគ្នា។ MOSFETs ជាឧបករណ៍មូលដ្ឋានបំផុតមួយនៅក្នុងsemiconductor វាល, ត្រូវបានគេប្រើយ៉ាងទូលំទូលាយនៅក្នុងសៀគ្វីកម្រិតក្រុមប្រឹក្សាក៏ដូចជានៅក្នុងការរចនា IC.The បង្ហូរនិងប្រភពនៃMOSFETs អាចត្រូវបានផ្លាស់ប្តូរនិងត្រូវបានបង្កើតឡើងនៅក្នុង P-type backgate ជាមួយនឹងតំបន់ N-type ។ ជាទូទៅ ប្រភពទាំងពីរអាចផ្លាស់ប្តូរគ្នាបាន ទាំងបង្កើតជាតំបន់ប្រភេទ N នៅក្នុងP-type backgate. ជាទូទៅ តំបន់ទាំងពីរនេះគឺដូចគ្នា ហើយទោះបីជាផ្នែកទាំងពីរនេះត្រូវបានប្តូរក៏ដោយ ដំណើរការរបស់ឧបករណ៍នឹងមិនរងផលប៉ះពាល់ទេ។ ដូច្នេះឧបករណ៍នេះត្រូវបានចាត់ទុកថាជាស៊ីមេទ្រី។

គោលការណ៍៖

MOSFET ប្រើ VGS ដើម្បីគ្រប់គ្រងបរិមាណនៃ "ការចោទប្រកាន់ដែលបណ្តាលឱ្យ" ដើម្បីផ្លាស់ប្តូរស្ថានភាពនៃឆានែលចរន្តដែលបង្កើតឡើងដោយ "ការចោទប្រកាន់ដែលបណ្តាលមកពី" ទាំងនេះដើម្បីគ្រប់គ្រងចរន្តបង្ហូរ។ នៅពេលដែល MOSFETs ត្រូវបានផលិត អ៊ីយ៉ុងវិជ្ជមានមួយចំនួនធំលេចឡើងនៅក្នុងស្រទាប់អ៊ីសូឡង់តាមរយៈដំណើរការពិសេស ដូច្នេះការចោទប្រកាន់អវិជ្ជមានកាន់តែច្រើនអាចត្រូវបានគេដឹងនៅផ្នែកម្ខាងទៀតនៃចំណុចប្រទាក់ ហើយតំបន់ N នៃភាពមិនបរិសុទ្ធដែលអាចជ្រាបចូលបានខ្ពស់ត្រូវបានតភ្ជាប់ដោយ ការចោទប្រកាន់អវិជ្ជមានទាំងនេះ និងបណ្តាញ conductive ត្រូវបានបង្កើតឡើង ហើយចរន្តបង្ហូរធំដែលទាក់ទងគ្នា លេខសម្គាល់ត្រូវបានបង្កើត បើទោះបីជា VGS គឺ 0។ ប្រសិនបើវ៉ុលច្រកទ្វារត្រូវបានផ្លាស់ប្តូរ បរិមាណនៃបន្ទុកដែលបង្កឡើងនៅក្នុង ឆានែលក៏ផ្លាស់ប្តូរដែរ ហើយទទឹងនៃឆានែលចរន្តផ្លាស់ប្តូរទៅកម្រិតដូចគ្នា។ ប្រសិនបើវ៉ុលច្រកទ្វារផ្លាស់ប្តូរ បរិមាណនៃការសាកថ្មនៅក្នុងឆានែលក៏នឹងផ្លាស់ប្តូរដែរ ហើយទទឹងនៅក្នុងឆានែលដំណើរការក៏នឹងផ្លាស់ប្តូរផងដែរ ដូច្នេះលេខសម្គាល់ចរន្តបង្ហូរនឹងផ្លាស់ប្តូររួមជាមួយវ៉ុលច្រកទ្វារ។

តួនាទី៖

1. វាអាចត្រូវបានអនុវត្តទៅសៀគ្វី amplifier ។ ដោយសារតែ impedance បញ្ចូលខ្ពស់នៃ amplifier MOSFET, capacitance នៃ coupling អាចមានទំហំតូចជាង ហើយ capacitors electrolytic មិនអាចប្រើបាន។

impedance បញ្ចូលខ្ពស់គឺសមរម្យសម្រាប់ការបម្លែង impedance ។ វាត្រូវបានគេប្រើជាញឹកញាប់សម្រាប់ការបំប្លែង impedance នៅក្នុងដំណាក់កាលបញ្ចូលនៃ amplifiers ពហុដំណាក់កាល។

3. វាអាចត្រូវបានប្រើជា resistor អថេរ។

4, អាចប្រើជាកុងតាក់អេឡិចត្រូនិច។

ឥឡូវនេះ MOSFETs ត្រូវបានប្រើនៅក្នុងកម្មវិធីជាច្រើន រួមទាំងក្បាលប្រេកង់ខ្ពស់នៅក្នុងទូរទស្សន៍ និងការផ្គត់ផ្គង់ថាមពលប្តូរ។ សព្វថ្ងៃនេះ ត្រង់ស៊ីស្ទ័រធម្មតា bipolar និង MOS ត្រូវបានផ្សំជាមួយគ្នាដើម្បីបង្កើតជា IGBT (insulated gate bipolar transistor) ដែលត្រូវបានគេប្រើយ៉ាងទូលំទូលាយនៅក្នុងតំបន់ដែលមានថាមពលខ្ពស់ ហើយសៀគ្វីរួមបញ្ចូលគ្នា MOS មានចរិតលក្ខណៈនៃការប្រើប្រាស់ថាមពលទាប ហើយឥឡូវនេះ CPUs ត្រូវបានប្រើប្រាស់យ៉ាងទូលំទូលាយនៅក្នុង សៀគ្វី MOS ។