តើអ្វីជាមូលហេតុនៃកំដៅនៅក្នុង MOSFET នៃ Inverter?

អាំងវឺរទ័រMOSFETsដំណើរការក្នុងស្ថានភាពប្តូរ ហើយចរន្តដែលហូរតាមបំពង់គឺខ្ពស់ណាស់។ ប្រសិនបើបំពង់មិនត្រូវបានជ្រើសរើសត្រឹមត្រូវទេ អំព្លីទីតវ៉ុលបើកបរមិនធំគ្រប់គ្រាន់ទេ ឬការសាយភាយកំដៅសៀគ្វីមិនល្អ វាអាចបណ្តាលឱ្យ MOSFET ឡើងកំដៅ។

1, អាំងវឺតទ័រ MOSFET កំដៅគឺធ្ងន់ធ្ងរ, គួរតែយកចិត្តទុកដាក់លើការជ្រើសរើស MOSFET

MOSFET នៅក្នុង Inverter ក្នុងស្ថានភាពប្តូរ ជាទូទៅទាមទារចរន្តបង្ហូររបស់វាឱ្យធំតាមដែលអាចធ្វើបាន ធន់ទ្រាំតូចតាមដែលអាចធ្វើបាន ដែលអាចកាត់បន្ថយការធ្លាក់ចុះតង់ស្យុងឆ្អែតនៃបំពង់ ដោយហេតុនេះកាត់បន្ថយបំពង់ចាប់តាំងពីការប្រើប្រាស់ កាត់បន្ថយកំដៅ។

សូមពិនិត្យមើលសៀវភៅណែនាំរបស់ MOSFET យើងនឹងឃើញថាតម្លៃតង់ស្យុងធន់នឹងរបស់ MOSFET កាន់តែខ្ពស់ ការទប់ទល់របស់វាកាន់តែធំ ហើយអ្នកដែលមានចរន្តបង្ហូរខ្ពស់ និងតម្លៃតង់ស្យុងទាបនៃបំពង់ ភាពធន់ទ្រាំរបស់វាជាទូទៅគឺទាបជាងរាប់សិប។ មីល្លីម៉ែត្រ។

ដោយសន្មតថាមានចរន្តផ្ទុក 5A យើងជ្រើសរើសអាំងវឺរទ័រដែលប្រើជាទូទៅ MOSFET RU75N08R ហើយវ៉ុលធន់នឹងតម្លៃ 500V 840 អាចជាចរន្តបង្ហូររបស់ពួកគេនៅក្នុង 5A ឬច្រើនជាងនេះ ប៉ុន្តែភាពធន់នៃបំពង់ទាំងពីរគឺខុសគ្នា ជំរុញចរន្តដូចគ្នា ភាពខុសគ្នានៃកំដៅរបស់ពួកគេគឺធំណាស់។ 75N08R on-resistance គឺត្រឹមតែ 0.008Ω ខណៈពេលដែល on-resistance 840 គឺ 0.85Ω នៅពេលដែលចរន្តផ្ទុកដែលហូរតាមបំពង់គឺ 5A ការធ្លាក់ចុះតង់ស្យុងបំពង់ 75N08R គឺត្រឹមតែ 0.04V នៅពេលនេះ ការប្រើប្រាស់បំពង់ MOSFET គឺ មានតែ 0.2W ខណៈពេលដែលការធ្លាក់ចុះតង់ស្យុងបំពង់ 840 អាចឡើងដល់ 4.25W ការប្រើប្រាស់បំពង់គឺខ្ពស់រហូតដល់ 21.25W ។ ពីនេះវាអាចត្រូវបានគេមើលឃើញថាភាពធន់នៃ MOSFET របស់ Inverter តូចជាងគឺកាន់តែប្រសើរ ភាពធន់នៃបំពង់មានទំហំធំ ការប្រើប្រាស់បំពង់ក្រោមចរន្តខ្ពស់ ការតស៊ូនៅលើ MOSFET របស់ Inverter គឺតូច។ តាមដែលអាចធ្វើបាន។

2, សៀគ្វីបើកបរនៃអំព្លីតវ៉ុលបើកបរមិនធំគ្រប់គ្រាន់ទេ។

MOSFET គឺជាឧបករណ៍បញ្ជាវ៉ុលប្រសិនបើអ្នកចង់កាត់បន្ថយការប្រើប្រាស់បំពង់កាត់បន្ថយកំដៅ។MOSFETអំព្លីទីតវ៉ុលរបស់ gate drive គួរតែមានទំហំធំល្មមដើម្បីជំរុញគែមជីពចរឱ្យមានភាពចោត និងត្រង់ អ្នកអាចកាត់បន្ថយការធ្លាក់ចុះតង់ស្យុងបំពង់ កាត់បន្ថយការប្រើប្រាស់បំពង់។

3, ការរលាយកំដៅ MOSFET មិនមែនជាមូលហេតុល្អទេ។

អាំងវឺរទ័រMOSFETកំដៅគឺធ្ងន់ធ្ងរ។ ដោយសារការប្រើប្រាស់ថាមពលរបស់ Inverter MOSFET មានទំហំធំ ការងារជាទូទៅតម្រូវឱ្យមានផ្ទៃខាងក្រៅធំគ្រប់គ្រាន់នៃ heatsink ហើយ heatsink ខាងក្រៅ និង MOSFET ខ្លួនវាផ្ទាល់រវាង heatsink គួរតែមានទំនាក់ទំនងជិតស្និទ្ធជាមួយ (ជាទូទៅតម្រូវឱ្យស្រោបដោយសារធាតុស៊ីលីកូនដែលមានកំដៅ។ ) ប្រសិនបើឧបករណ៍កម្តៅខាងក្រៅមានទំហំតូចជាង ឬទំនាក់ទំនងជាមួយឧបករណ៍ផ្ទុកកំដៅផ្ទាល់របស់ MOSFET មិននៅជិតគ្រប់គ្រាន់ អាចនាំឱ្យកម្តៅបំពង់។

កំដៅ Inverter MOSFET ធ្ងន់ធ្ងរ មានហេតុផលបួនសម្រាប់ការសង្ខេប។

ការឡើងកំដៅបន្តិចរបស់ MOSFET គឺជាបាតុភូតធម្មតា ប៉ុន្តែការឡើងកំដៅដ៏ធ្ងន់ធ្ងរ សូម្បីតែនាំឱ្យបំពង់ត្រូវឆេះក៏មានហេតុផលបួនយ៉ាងដូចខាងក្រោម៖

1, បញ្ហានៃការរចនាសៀគ្វី

អនុញ្ញាតឱ្យ MOSFET ដំណើរការក្នុងស្ថានភាពប្រតិបត្តិការលីនេអ៊ែរ ជាជាងនៅក្នុងស្ថានភាពសៀគ្វីប្តូរ។ វាក៏ជាមូលហេតុមួយនៃកំដៅ MOSFET ផងដែរ។ ប្រសិនបើ N-MOS កំពុងធ្វើការប្តូរ នោះវ៉ុលកម្រិត G ត្រូវតែមាន V ពីរបីខ្ពស់ជាងការផ្គត់ផ្គង់ថាមពលដែលត្រូវបើកពេញ ខណៈ P-MOS គឺផ្ទុយពីនេះ។ មិនបើកចំហពេញលេញទេហើយការធ្លាក់ចុះតង់ស្យុងធំពេកដែលបណ្តាលឱ្យមានការប្រើប្រាស់ថាមពលសមមូល DC impedance ធំជាងការធ្លាក់ចុះតង់ស្យុងកើនឡើងដូច្នេះ U * ខ្ញុំក៏កើនឡើងការបាត់បង់មានន័យថាកំដៅ។ នេះគឺជាកំហុសដែលជៀសវាងបំផុតក្នុងការរចនាសៀគ្វី។

2, ប្រេកង់ខ្ពស់ពេក

មូលហេតុចម្បងគឺថាជួនកាលការខិតខំប្រឹងប្រែងលើសកម្រិតនៃបរិមាណដែលបណ្តាលឱ្យមានការកើនឡើងប្រេកង់ការបាត់បង់ MOSFET នៅលើធំដូច្នេះកំដៅក៏កើនឡើងផងដែរ។

3, ការរចនាកំដៅមិនគ្រប់គ្រាន់

ប្រសិនបើចរន្តខ្ពស់ពេក តម្លៃបច្ចុប្បន្នបន្ទាប់បន្សំនៃ MOSFET ជាធម្មតាតម្រូវឱ្យមានការរលាយកំដៅល្អដើម្បីសម្រេចបាន។ ដូច្នេះលេខសម្គាល់គឺតិចជាងចរន្តអតិបរមា វាក៏អាចឡើងកំដៅយ៉ាងធ្ងន់ធ្ងរផងដែរ ត្រូវការឧបករណ៍កម្តៅជំនួយគ្រប់គ្រាន់។

4, ការជ្រើសរើស MOSFET គឺខុស

ការវិនិច្ឆ័យខុសនៃថាមពល ភាពធន់ខាងក្នុងរបស់ MOSFET មិនត្រូវបានពិចារណាទាំងស្រុងនោះទេ ដែលបណ្តាលឱ្យមានការកើនឡើងនូវភាពធន់នៃការផ្លាស់ប្តូរ។