តើតំបន់ទាំងបួននៃ MOSFET មានអ្វីខ្លះ?

តំបន់ទាំងបួននៃ MOSFET ការកែលម្អ N-channel

(1) តំបន់ធន់ទ្រាំអថេរ (ហៅផងដែរថាតំបន់មិនឆ្អែត)

Ucs" Ucs (th) (turn-on voltage), uDs" UGs-Ucs (th) គឺជាតំបន់នៅខាងឆ្វេងនៃដាន preclamped នៅក្នុងរូបភាពដែលឆានែលត្រូវបានបើក។ តម្លៃនៃ UDs គឺតូចនៅក្នុងតំបន់នេះ ហើយភាពធន់នៃឆានែលត្រូវបានគ្រប់គ្រងជាមូលដ្ឋានដោយ UGs ប៉ុណ្ណោះ។ នៅពេលដែល uGs គឺជាក់លាក់ ip និង uDs ចូលទៅក្នុងទំនាក់ទំនងលីនេអ៊ែរ តំបន់ត្រូវបានប៉ាន់ស្មានថាជាសំណុំនៃបន្ទាត់ត្រង់។ នៅពេលនេះ បំពង់បែបផែនវាល D, S រវាងសមមូលនៃវ៉ុល UGS

គ្រប់គ្រងដោយភាពធន់ទ្រាំអថេរ UGS វ៉ុល។

(2) តំបន់បច្ចុប្បន្នថេរ (ត្រូវបានគេស្គាល់ផងដែរថាជាតំបន់តិត្ថិភាព តំបន់ពង្រីក តំបន់សកម្ម)

Ucs ≥ Ucs (h) និង Ubs ≥ UcsUssth) សម្រាប់តួរលេខនៃផ្នែកខាងស្តាំនៃ pre-pinch off track ប៉ុន្តែមិនទាន់ត្រូវបានបំបែកនៅក្នុងតំបន់ ក្នុងតំបន់ នៅពេលដែល uGs ត្រូវតែជា, ib ស្ទើរតែមិន ការផ្លាស់ប្តូរជាមួយ UDs គឺជាលក្ខណៈបច្ចុប្បន្នថេរ។ ខ្ញុំត្រូវបានគ្រប់គ្រងដោយ UGs តែប៉ុណ្ណោះ បន្ទាប់មក MOSFETD, S គឺស្មើនឹងការគ្រប់គ្រងវ៉ុល uGs នៃប្រភពបច្ចុប្បន្ន។ MOSFET ត្រូវបានប្រើនៅក្នុងសៀគ្វី amplification ជាទូទៅនៅលើការងាររបស់ MOSFET D, S គឺស្មើនឹងវ៉ុល uGs គ្រប់គ្រងប្រភពបច្ចុប្បន្ន។ MOSFET ប្រើក្នុងសៀគ្វីពង្រីក ជាទូទៅដំណើរការក្នុងតំបន់ ដែលគេស្គាល់ថាជាតំបន់ពង្រីក។

(3) តំបន់កាត់ (ហៅផងដែរថាតំបន់កាត់)

តំបន់កាត់ (ត្រូវបានគេស្គាល់ផងដែរថាជាតំបន់កាត់) ដើម្បីបំពេញតាម ucs "Ues (th) សម្រាប់តួរលេខនៅជិតអ័ក្សផ្តេកនៃតំបន់ ឆានែលត្រូវបានបិទទាំងអស់ ដែលត្រូវបានគេស្គាល់ថាជាឈុតបិទពេញលេញ io = 0 , បំពង់មិនដំណើរការ។

(4) ទីតាំងតំបន់បំបែក

តំបន់បំបែកមានទីតាំងស្ថិតនៅក្នុងតំបន់នៅខាងស្តាំនៃរូប។ ជាមួយនឹងការកើនឡើង UDs ប្រសព្វ PN ត្រូវបានទទួលរងនូវវ៉ុលបញ្ច្រាសនិងការវិភាគច្រើនពេក ip កើនឡើងយ៉ាងខ្លាំង។ បំពង់គួរតែត្រូវបានដំណើរការដូច្នេះដើម្បីជៀសវាងប្រតិបត្តិការនៅក្នុងតំបន់បំបែក។ ខ្សែកោងលក្ខណៈផ្ទេរអាចមកពីខ្សែកោងលក្ខណៈលទ្ធផល។ នៅលើវិធីសាស្រ្តដែលប្រើជាក្រាហ្វដើម្បីស្វែងរក។ ឧទាហរណ៍ក្នុងរូបភាពទី 3 (a) សម្រាប់ Ubs = 6V បន្ទាត់បញ្ឈរ ចំនុចប្រសព្វរបស់វាជាមួយនឹងខ្សែកោងផ្សេងៗដែលត្រូវគ្នានឹងតម្លៃ i, Us ក្នុងកូអរដោនេ ib- Uss ដែលភ្ជាប់ទៅនឹងខ្សែកោង នោះគឺដើម្បីទទួលបានខ្សែកោងលក្ខណៈផ្ទេរ។

ប៉ារ៉ាម៉ែត្រនៃMOSFET

មានប៉ារ៉ាម៉ែត្រជាច្រើននៃ MOSFET រួមទាំងប៉ារ៉ាម៉ែត្រ DC ប៉ារ៉ាម៉ែត្រ AC និងប៉ារ៉ាម៉ែត្រកំណត់ប៉ុន្តែមានតែប៉ារ៉ាម៉ែត្រសំខាន់ខាងក្រោមប៉ុណ្ណោះដែលត្រូវយកចិត្តទុកដាក់ក្នុងការប្រើប្រាស់ទូទៅ: saturated drain-source current IDSS pinch-off voltage up, (junction-type tubes and depletion -ប្រភេទបំពង់ច្រកទ្វារដែលមានអ៊ីសូឡង់ ឬវ៉ុលបើក UT (បំពង់ច្រកទ្វារដែលមានអ៊ីសូឡង់ពង្រឹង) trans-conductance gm ការបំបែកប្រភពលេចធ្លាយ វ៉ុល BUDS ថាមពលរលាយអតិបរមា PDSM និង IDSM បច្ចុប្បន្នប្រភពបង្ហូរអតិបរមា។

(1) ចរន្តបង្ហូរឆ្អែត

ចរន្តបង្ហូរឆ្អែត IDSS គឺជាចរន្តបង្ហូរនៅក្នុងប្រសព្វ ឬប្រភេទ depletion gate insulated MOSFET នៅពេលវ៉ុលច្រកទ្វារ UGS = 0 ។

(2) វ៉ុលបិទ

Pinch-off voltage UP គឺជាវ៉ុលច្រកនៅក្នុងប្រភេទប្រសព្វ ឬ depletion-type insulated-gate MOSFET ដែលគ្រាន់តែកាត់ផ្តាច់រវាងបង្ហូរ និងប្រភព។ ដូចដែលបានបង្ហាញក្នុង 4-25 សម្រាប់ N-channel tube UGS a ID curve អាចត្រូវបានយល់ដើម្បីមើលពីសារៈសំខាន់នៃ IDSS និង UP

MOSFET បួនតំបន់

(3) បើកវ៉ុល

វ៉ុលបើក UT គឺជាវ៉ុលច្រកទ្វារនៅក្នុង MOSFET ច្រកទ្វារដែលមានអ៊ីសូឡង់ដែលបានពង្រឹងដែលធ្វើឱ្យប្រភពអន្តរបង្ហូរគ្រាន់តែជាចរន្ត។

(4) អន្តរកម្ម

transconductance gm គឺជាសមត្ថភាពគ្រប់គ្រងនៃវ៉ុលប្រភពច្រកទ្វារ UGS នៅលើលេខសម្គាល់ចរន្តបង្ហូរ ពោលគឺសមាមាត្រនៃការផ្លាស់ប្តូរលេខសម្គាល់ចរន្តបង្ហូរទៅនឹងការផ្លាស់ប្តូរវ៉ុលប្រភពច្រកទ្វារ UGS ។ 9m គឺជាប៉ារ៉ាម៉ែត្រសំខាន់ដែលថ្លឹងថ្លែងសមត្ថភាពពង្រីករបស់MOSFET.

(5) វ៉ុលបំបែកប្រភពបង្ហូរ

វ៉ុលបំបែកប្រភពបង្ហូរ BUDS សំដៅទៅលើវ៉ុលប្រភពច្រកទ្វារ UGS ជាក់លាក់ ប្រតិបត្តិការធម្មតា MOSFET អាចទទួលយកវ៉ុលប្រភពបង្ហូរអតិបរមា។ នេះគឺជាប៉ារ៉ាម៉ែត្រកំណត់ដែលបានបន្ថែមទៅវ៉ុលប្រតិបត្តិការ MOSFET ត្រូវតែតិចជាង BUDS ។

(6) ការរំសាយថាមពលអតិបរមា

ការរំលាយថាមពលអតិបរមា PDSM ក៏ជាប៉ារ៉ាម៉ែត្រកំណត់ផងដែរ សំដៅទៅលើMOSFETដំណើរការមិនកាន់តែយ៉ាប់យ៉ឺនទេ នៅពេលដែលការសាយភាយថាមពលប្រភពលេចធ្លាយដែលអាចអនុញ្ញាតបានអតិបរមា។ នៅពេលប្រើ MOSFET ការប្រើប្រាស់ថាមពលជាក់ស្តែងគួរតែតិចជាង PDSM ហើយទុករឹមជាក់លាក់មួយ។

(7) ចរន្តបង្ហូរអតិបរមា

ចរន្តលេចធ្លាយអតិបរិមា IDSM គឺជាប៉ារ៉ាម៉ែត្រកំណត់មួយផ្សេងទៀត សំដៅទៅលើប្រតិបត្តិការធម្មតារបស់ MOSFET ប្រភពលេចធ្លាយនៃចរន្តអតិបរិមាដែលអនុញ្ញាតឱ្យឆ្លងកាត់ចរន្តប្រតិបត្តិការរបស់ MOSFET មិនគួរលើសពី IDSM នោះទេ។

គោលការណ៍ប្រតិបត្តិការ MOSFET

គោលការណ៍ប្រតិបត្តិការរបស់ MOSFET (N-channel enhancement MOSFET) គឺត្រូវប្រើ VGS ដើម្បីគ្រប់គ្រងបរិមាណនៃ "ការបញ្ចូលចរន្ត" ក្នុងគោលបំណងផ្លាស់ប្តូរស្ថានភាពនៃឆានែលចរន្តដែលបង្កើតឡើងដោយ "ការបញ្ចូលថាមពល" ទាំងនេះ ហើយបន្ទាប់មកដើម្បីសម្រេចបាននូវគោលបំណង។ នៃការគ្រប់គ្រងចរន្តបង្ហូរ។ គោលបំណងគឺដើម្បីគ្រប់គ្រងចរន្តបង្ហូរ។ នៅក្នុងការផលិតនៃបំពង់, តាមរយៈដំណើរការនៃការធ្វើឱ្យមួយចំនួនធំនៃអ៊ីយ៉ុងវិជ្ជមាននៅក្នុងស្រទាប់អ៊ីសូឡង់, ដូច្នេះនៅក្នុងផ្នែកម្ខាងទៀតនៃចំណុចប្រទាក់អាចត្រូវបាន induced បន្ទុកអវិជ្ជមានបន្ថែមទៀត, ការចោទប្រកាន់អវិជ្ជមានទាំងនេះអាចត្រូវបាន induced ។

នៅពេលដែលវ៉ុលច្រកទ្វារផ្លាស់ប្តូរបរិមាណនៃបន្ទុកដែលបណ្តាលឱ្យនៅក្នុងឆានែលក៏ផ្លាស់ប្តូរទទឹងនៃឆានែលចរន្តក៏ផ្លាស់ប្តូរផងដែរហើយដូច្នេះលេខសម្គាល់ចរន្តបង្ហូរផ្លាស់ប្តូរជាមួយនឹងវ៉ុលច្រកទ្វារ។

តួនាទីរបស់ MOSFET

I. MOSFET អាចត្រូវបានអនុវត្តចំពោះការពង្រីក។ ដោយសារតែ impedance បញ្ចូលខ្ពស់នៃ amplifier MOSFET, capacitor coupling អាចមានទំហំតូចជាងដោយមិនចាំបាច់ប្រើ capacitor electrolytic ។

ទីពីរ impedance បញ្ចូលខ្ពស់នៃ MOSFET គឺសមរម្យណាស់សម្រាប់ការបម្លែង impedance ។ ប្រើជាទូទៅនៅក្នុងដំណាក់កាលបញ្ចូល amplifier ពហុដំណាក់កាលសម្រាប់ការបំប្លែង impedance ។

MOSFET អាចត្រូវបានប្រើជា resistor អថេរ។

ទីបួន MOSFET អាចត្រូវបានប្រើយ៉ាងងាយស្រួលជាប្រភពបច្ចុប្បន្នថេរ។

ទីប្រាំ MOSFET អាចត្រូវបានប្រើជាកុងតាក់អេឡិចត្រូនិច។